[参考译文] DRV8351-SEP：GVDD 电流

尊敬的 Marvin：

关于驱动电流、需要注意的重要一点是拉电流和灌电流能力。 在该器件上、它锁定在 750mA 拉电流和 1.5A 灌电流。 因此、这意味着在 MOSFET 导通/关断期间、即拉取和灌入的电流。  

30mA 平均值是指您在整个运行期间将看到的平均电流。 这是因为高驱动电流只会在短时间内发生、然后停止、因为 FET 处于导通或关断状态。 因此它将平均到 30mA 左右。

我研究了 MOSFET、可以看到 Qg 总数仅为 26nC。 对于此 750mA、此器件的这些设置的驱动强度 MOSFET/1.5A 会非常大。 借助这些驱动强度、您可以使用 Qg 总电流为 250nC 至 500nC 的 MOSFET、具体取决于您的换向算法。

在这种情况下、您需要一个高阻值栅极电阻器来将电流限制到此小 MOSFET。 问题是、在电流大、电荷少的情况下、如果不以某种方式限制电流、就会产生大量振铃。 因此、在我们的其他器件上、我们可以为不同的 FET 选择具有不同值的 IDRIVE 设置。 但我知道航空级的限制。

我可能建议选择总 Qg 更高的 MOSFET、以便在这些驱动强度下实现更干净的运行。

谢谢、

Joseph

尊敬的 Marvin：

从营销方面、我也很想了解您对该器件感兴趣的客户。 我们可以帮助支持与他们的通话。 您能分享这个名字吗？ 如果需要、您也可以通过电子邮件与我联系 s-anthraper@ti.com。

此致、  

Sarah  

您好、Sarah：  

我给你发了一封电子邮件。

此致、

Marvin

尊敬的 Marvin：

感谢您通过电子邮件联系 Sarah。

您可以向我发送电子邮件或在此处回复其他技术问题。

谢谢、

Joseph

因此需要清除的是、流入 GVDD 引脚的最大平均电流是 30mA？

您好、Jim、

流入 GVDD 引脚的电流将取决于您的外部 MOSFET Qg 值、因为这将是 GVDD 负载的主要决定因素。 GVDD 将从电源拉取栅极所需的电流量。 我们可以估算出这大约为 GVDD 的电流消耗的 30mA 平均值。 不过、如果使用大型 FET 或开关频率较高、这种情况可能会增加。 这些因素将改变电流消耗量。  

您可以对系统运行一些基本操作测试、以确定平均电源消耗、从而帮助您获得特定系统的预期准确数值、或者根据 MOSFET 值进行一些快速计算、以确定预期的电流量。

但要回答您的问题、30mA 不是允许流入引脚的最大平均电流。 在这里、您不应遇到 GVDD 可以消耗的电流大小的任何上限。

希望我能正确理解您的问题。

谢谢、

Joseph