请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：DRV8353你好！！
我正在使用 DRV8353SRTAR 驱动电机、在第一次测试中、我检测到了与死区时间插入相关的内容、器件会自动…… 当我将 tdrive 设置为 0b00 时、“default automatic value“仅增加 50ns、我会看到总死区时间约为 415ns、因此我猜“default automatic value“约为 350ns 至 360ns。 您知道是否有办法缩短该时间？ 就我在数据表中读到的那样、该时间使用 Vgs 检测计算、以确保在高侧已禁用时低侧 MOSFET 启用。
这是屏幕截图、显示了我在高侧 MOSFET 从高电平变为低电平以及 LOS 侧 MOSFET 从低电平变为高电平期间看到的内容。
这一次、tdead 参数设置为 0b00、该值应为 50ns。
我正在使用 SPI 版本的驱动程序、因此我可以动态更改它并查看会发生什么情况。
感谢您的帮助！！ 
μ s
