您好：
在我的当前设计中、选择 DRV8262DDW、这是一个单路 H 桥。 在数据表中、仅单个 H 桥内部电流检测连接在一起。 在这种情况下、为两个 NMOS 设置 OCP（我假设，很难理解内部微镜电流的行为）
我对电阻 IPROPI 计算有疑问。 在我的设计中、A 将一个 3.3K 连接到 GND 的电阻器。 在这种情况下、我假设 OUT1 和 OUT2 的 OCP 设置为 4.71A。 是真的还是假的？
我想将 OUT1 和 OUT2 的 OCP 设置为 8A、能否计算出电阻？
感谢你的帮助
此致
您好 Douchan、
感谢您发送编修。
DRV8262 中的负载电流有两种不同的实体。 一种是基于 Itrip 的电流限制、它使用外部 RIPROPI 和 VREF 电压来设置电流。 请参阅数据表中的下面内容。 公式显示了如何设置此电流限制特性。
第二个是过流保护 OCP、有助于提供输出短路保护。 IOCP 规格中给出了 OCP 的阈值 — 请参阅下面的。 IOCP 规范已进行硬编码、无法更改。
OCP 与电流限制特性无关、不依赖于 RIPROPI。 请参阅下面的。 OCP 在每个输出 FET（高侧和低侧）上都有自己的检测功能。
我对电阻 IPROPI 计算有疑问。 在我的设计中、A 将一个 3.3K 连接到 GND 的电阻器。 在这种情况下、我假设 OUT1 和 OUT2 的 OCP 设置为 4.71A。 是真的还是假的？
我想将 OUT1 和 OUT2 的 OCP 设置为 8A、能否计算出电阻？
[/报价]假设 VREF = 3.3V、当 3.3kΩ RIPROPI 时、电机电流将限制为 4.71A。这是 Itrip 电流设置、而不是 OCP。 电机浪涌电流或失速电流将限制为 4.71A
您无法使用 8A 的 Itrip 设置、因为 8A 已经是 OCP 过流阈值。 最大 Itrip 必须< IOCP 规格。 此外、最大 Itrip 电流还将是器件功耗的函数。 如果电流高于特定电流、则根据环境温度 Ta、器件可能会出现热关断 TSD。 对于此 DDW 封装以及使用适当的 PCB 设计和 VM 电压。 请参阅下面的电流能力表。 通过两个并联电桥、可以提高电流能力。
如果应用的持续电流要求为 8A、则 DRv8262 DDW 可能无法支持该要求。
此致、Murugavel
您好 Murugavel、
感谢您的回复以及有关器件 DRV8262DDW 内部 OCP 的详细信息。
请参阅下面的原理图、引脚 iprop 上将电阻 3.3K 连接在一起
在我的设计中、输出 1 的电流限制设置为 4.7A、输出 2 的电流限制设置为 4.7A？ （我知道这不是 OCP。 OCP 通过内部结构对运河 OUT1 设置为 8A、对运河 OUT2 设置为 8A，不能更改）
我想根据数据表设置 OCP 下的电流限制、例如 7.5A、是否可行？ 然后告诉我电阻器 iprop 的正确值是多少
感谢您的建议和技术支持。
此致
您好 Douchan、
感谢分享原理图。 您已将 MODE1 和 MODE2 连接到 DVDD、建议使用 PWM 控制模式和单路 H 桥配置。 我假设输出相应地连接在一起。
的正确值在我的设计中、输出 1 的电流限制设置为 4.7A、输出 2 的电流限制设置为 4.7A？ （我知道这不是 OCP。 OCP 通过内部结构对运河 OUT1 设置为 8A、对运河 OUT2 设置为 8A，不能更改）[/报价]在您的电流原理图中、 VREF = 3.3V、RIPROPI = 3.3kΩ。 由此计算得出 Itrip = 4.72A。由于您使用的是单 H 桥模式、IOCP 为 16A、因此双 H 桥模式下 IOCP 为 8A。
[引用 userid=“570417" url="“ url="~“~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1581730/drv8262-choose-a-resistor-for-ocp/6093061 ]我想根据数据表设置 OCP 下的电流限制、例如 7.5A、是否可行？ 然后告诉我电阻器 iprop
我想您希望将 Itrip 电流限制设置为 7.5A。在这种单 H 配置中、这是可以实现的。 7.5A 负载电流将转换为 IPROPI 上的 7.5/212E-6 = 0.00159 μA。 要将其转换为 3.3V、所需的电阻值将为 3.3 / 0.00159 = 2.075kΩ-您可以使用最接近的可用 1%或更低容差电阻器。 这会将 Itrip 设置为大约 7.5A。根据瞬态热阻抗表、请记住器件可以驱动 7.5A 大约 10 至 15 秒。 采用适当的 PCB 热设计时、该器件可以支持接近 5A 的连续电流。
此致、Murugavel
您好 Douchan、
在我的设计中、直流/直流转换器电机连接在 OUT1 和 OUT2 之间、我设置了慢速衰减模式。 电机的内部电阻为 4 欧姆、电感器 300µH 和最大电压 24V。 我没有反电动势值
这没关系。 我只想确保所有 OUT1 和 OUT2 都连接在一起。 请参阅下面的。
我知道、=>如果电阻器增大、电流限制会减小。 OCP 保持不变、在本例中、每个内部 NMOS 的电流为 16A。
完美！
但很难理解是否为每个内部 NMOS 设置了此限制。 问题=> 电机电流限制在 4.7A 或 (4.7A x 2)?
电流限制仅适用于负载电流、而不适用于每个内部 NMOS。 请参阅下面的。 因此、当 RIPROPI 的值为 3.3kΩ 时、负载电流将限制为 4.7A。对于 Itrip 电流限制、仅在高侧 FET 上进行电流检测。 由于 FET 并联连接、因此电流均匀地分布在两个 FET 之间。 当 Itrip 配置为 4.7A 时、每个 FET 通过 4.7/2 = 2.35A。IPROPI 连接在一起、这增加了 2.35 + 2.35 = 4.7A。我希望这样可以清楚地说明 其工作原理。
当 RIPROPI = 2kΩ 时、负载电流限制为 7.5A。每个 HS-FET 都将通过 3.75A 的电流
OCP 过流架构有所不同。 对于每个 NMOS、它为 8A。当为单 H 并联时、 OUTx 引脚上的 OCP 限制加倍至 16A
此致、Murugavel
