[参考译文] DRV8161：DRV8161：如果连接了负载、则输出不开启

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号： DRV8161

我们尝试使用 DRV8161 导通高侧 MOSFET 或低侧 MOSFET。

如果未连接负载、则输出正确导通（在开关的输出端测量的电压）并且 MOSFET 的栅源电压正确（自举电路工作）。

如果负载通过一个四舍五入为 500mA 的电阻器连接到输出、则 DRV8161 无法打开输出。

CH1：Vsource/CH2：INH/CH3 ：VBAT/CH4： Vgate

示波器测量结果表明、栅极和源极电压随 INH 信号升高。但是、栅极电压并没有像预期的那样比源极电压高大约 10V、也没有连接负载的情况是怎样的。

在总导通时间内、栅源电压振荡。内部自举电路似乎无法正常工作。

我们对设计如数据表中推荐的二极管进行了短路、但没有明显改进。

低侧开关的行为是相同的。

设置：

感谢您的支持！

0 admin 3 个月前

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嗨、Michael、

SHx 之间有一个接地电阻负载？

您能给我展示一下无负载情况下正常开关的波形吗：INHx、BSTx、VGS（使用差分探头）、SHX-GND？

bstx 上限值是多少？此外、您是否能够通过开启 LS FET 最初为 BSTx 电容器充电？

此致、

Akshay

0 admin 3 个月前

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感谢您的快速回答！

这是一个学生的工作,我没有进一步的测量可用,不幸的是,学生已经完成了他的工作。

给您的问题：

-是的,我连接 SH 和 GND 之间的外部电阻负载高侧或从 SH 到 Vbat 低侧

-在没有负载的情况下,栅极电压比源极电压高出大约 10V->电荷泵工作。

-提供测量目前是不可能的,因为其他主题具有更高的优先级

- Bstx 电容值: 最初 2.2 μ F 后更改为 1 μ F 但没有改进

在 2PWM 模式下的涓流电荷泵是否确实需要激活 INL？
精度数据表 INL 必须保持低电平 250us 才能激活电荷泵、但不能将 INL 设置为高电平来导通 LS FET。

但我想知道为什么低侧开关具有相同的行为？电源 GVDD 稳定。

两件事我忘了提:

INH 和 INL 具有 10k Ω 下拉电阻器、而在输出端具有一个 100k Ω 下拉电阻器。

为了验证是否激活了涓流电荷泵、我可以将 PWM 模式更改为独立模式（如果时间可用）

0 admin 3 个月前

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嗨、Michael、

感谢您的背景。
TCP 提供一些电流、以在 LS 不会导通的 100%占空比期间保持 BSTx 充电。在 BSTx 器件中、假设自举电路最初充电至 GVDD 电压、然后在 LS FET 导通时进行补充。

如果您说过 HS 和 LS 都有这种行为？如果是、您看到 nfault 是否被拉至低电平？

此致、

Akshay

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