[参考译文] DRV8702-Q1：MOSFET 驱动

你好、Nereo、

感谢您在这个论坛上发帖。

DRV8702-Q1 元件数据表规定了引脚 VM（引脚 28）和 VCP（引脚 29）之间的建议电容器为 1uF。
由于组装误差、BOM 上错误安装了 0.1uF 50V X7R 陶瓷电容器。
一段时间以来、我们一直看到已安装电路板领域重新出现、经过几年的正确运行、不再能够正确驱动 H 桥 MOSFET、向微控制器发送故障信号（引脚 10 - nFAULT - LOW）。
即使用新的电容器（也是 0.1uF）替换也无法实现正确的运行。[/报价]

如果仅使用建议值的 1/10、电荷泵便无法按照该器件的规格运行。 这会影响 HS-FET 驱动、压摆率等 可能还会导致 电荷泵欠压 (CPUV) 锁定 — 请参阅下面的。

为了确保正常运行、您必须用更高容量的电容器替换电容器、或更换 DRV8702-Q1 元件。

对于较高的容量、您是否指的是建议的 1 μ F 值（如果较高，则指的是较高的值）？ 具体建议值为 1uF、不高于或低于该值。

1) 几年的正确操作后、什么原因可能导致失败？

这是很难预测的。 电容器的降额速度会比正常速度快。 从长远看、我们不知道它还有什么其他的副作用。  

2) 电容器额定值错误是否可能导致 DRV8702-Q1 元件在运行数年后出现故障？ 为什么电容器会损坏 DRV8702-Q1 元件？

这可能取决于电容器本身的故障模式。 如果短路或引起低阻抗导通、则可能会损坏内部电荷泵 FET 或其他相关元件。 遗憾的是、我没有更具体的信息。 我们没有使用建议值以外的电容器对器件进行表征。  

当器件在故障电路板和正常电路板（电容为 0.1 μ F、电容为 1 μ F）下运行时、我们是否提供电荷泵输出 VCP 的示波器捕获？ 这可能有助于调试。

3) 我们安装了数千个电路板；目前、故障影响了数十个器件。 我们将来是否应该预计会出现大量故障？

这也很难预测。 我认为最好了解故障机制、例如电容器降额、电容器故障等、以便凭经验推测其他器件可能会发生什么情况。  

此致、Murugavel  

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感谢您的答复。
如果您不介意、我需要更多信息：
a) 电容器未降低或失去其性能。 即使使用偏置进行测量、它与其他相同电容器相比也没有区别。 将电容器替换为具有相同容量的电容器 (0.1 µF) 不会清除故障。
b) 由于电容器未发生故障、这是否意味着 DRV8702-Q1 已发生故障？ 这是可能的吗？
c) 如果我们在有缺陷的电路板上用 1 µF 电容器替换该电容器（我们已经对其进行了测试，电路板工作正常）、我们是否可以确保 DRV8702-Q1 始终正常工作？ 还是即使使用正确的电容器也会继续降级？
d) 在尚未出现故障但已安装的电路板上、如果我们用正确的 1µF 电容器更换电容器、我们能否确保即使在更换电容器后、DRV8702-Q1 也不会出现故障点？

谢谢。此致

Nereo Talli

你好、Nereo、

感谢您提供进一步的详细信息和报告。

a) 电容器未降级或丧失性能。 即使使用偏置进行测量、它与其他相同电容器相比也没有区别。 将电容器替换为具有相同容量的电容器 (0.1 µF) 不会清除故障。
b) 由于电容器未发生故障、这是否意味着 DRV8702-Q1 已发生故障？ 这是可能的吗？

如果绝对最大值（绝对最大值） 长时间超出器件的额定值、器件可能会随着时间的推移而损坏。 请参阅下面的。

根据您共享的捕获结果、VCP ABS 似乎是正确的。 最大 在使用 100nF VCP 到 VM 电容器时、电压可能超过该值。 VCP = 44.7V 为 44.7 - 31 = 13.7V、比 12V 高出 1.7V。使用 1uF 电容器时、VCP 为 43V、即 43 - 31 = 12V

同样、VGH2。 我假设布线以 SH2 或 VM 为基准。 使用 100 nF C-VCP、 无故障 VGH2、最大 为 13V、超过 12V。这表示 ABS。 最大 使用 100nF VCP 电容器时、违反了相关条件。 建议使用 1uF 的 VCP 电容器时、这些电压不会违反。 因此、100nF VCP 电容器可能会随着时间的推移导致器件性能下降。 将 100nF 替换为另一个 100nF 可能不会解决 ABS 问题。 最大 违规问题。 必须使用 1uF VCP 电容器。

c) 如果在有缺陷的电路板上用 1 µF 电容器替换（我们已经测试过电容器并且电路板工作正常）、我们能否确保 DRV8702-Q1 始终正常工作？ 还是即使使用正确的电容器也会继续降级？
d) 在尚未出现故障但已安装的电路板上、如果我们将电容器替换为正确的 1µF 电容器、我们能否确保即使在更换电容器后 DRV8702-Q1 也不会下降到故障点？

如果到目前为止由于驱动器运行超过 ABS 而导致部分降级、 最大 无法确定是否发生了这种情况。 但是、根据示波器捕获、我们可以说出上述 ABS。 最大 对于 1uF C-VCP、不应进行操作。 则可能不会继续降低性能。

但局部退化的影响可能未知。 正常工作的器件可能表明 MOS 降级未达到影响参数超出工作电平的水平。 不可能保证产品的未来运行率高于 ABS。 最大 上升时间。

在其中一种情况下、用 1uF 电容器替换电容器后、故障仍然存在、电机未正确控制。 您能否解释一下 DRV 是否损坏？

是的、根据这个观察结果并知道 DRV 在高于绝对值的电平下运行。 最大 对于 VCP 和 SHx、DRV 可能会永久损坏。   

此致、Murugavel