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部件号： DRV11873
问题/描述
TI 团队大家好、
我们正在调查与相关的现场故障问题 DRV11873 过热保护、我们想阐明该器件的保护行为。
观察到的主要故障模式是 相位 (W) 和 VCC 之间短路以及 VCC 至 GND 短路导致的 IC 损坏 。
客户方面的一个假设是 低电流限制设置 (1A) 导致重复启动失败 因素 热累积 最终导致 IC 损坏。
为了正确验证该假设、我们想确认以下几点 OCP 和锁定保护行为 。
1.启动期间的 OCP 与锁定保护行为
角度 未机械锁定 ,但 启动电流超过 OCP 电平 、设备最终是否进入 锁定保护模式 ？
具体来说：
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如果在启动期间由于电流限制不足而重复触发 OCP、
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内部保护状态机是否会将此情况与转子锁定情况类似并进入锁定保护？
出于验证目的、我们正在考虑 固定电机轴 以特意触发锁定保护。
是否可以考虑该测试条件 在功能上等效 是否从 IC 保护的角度考虑允许 OCP 触发的重复启动故障？
2. OCP 事件后的重试行为
数据表提供了输入阻抗 锁定保护 被激活时、器件大约每重试一次 7 秒 。
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当进入锁定保护时 由于 OCP 而产生的电流 、设备是否遵循 相同的~7 秒重试间隔 ？
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或者、仅 OCP 事件和锁定保护事件之间的重试行为是否不同？
3.重试定时配置和容差
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是 重试时间（~7 秒） 引导加载程序 内部固定 或是否可以从外部进行调整？
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有什么已知的吗 或与温度相关的变化 处于该重试间隔内？
我们无法在数据表中找到有关重试时序容差的详细信息、因此希望进行澄清。
附加上下文
作为纠正措施、客户建议：
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增大 电流限制设置 从而减少启动故障
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更新了 TVS 二极管规格 提高浪涌/ESD 稳健性
我们想从器件运行的角度确认上述有关保护行为的假设是否有效。
感谢您的支持。
此致、
