Other Parts Discussed in Thread: DRV2700EVM-HV500
器件型号: DRV2700EVM-HV500
您好:
在 DRV2700EVM-HV500 中、您已选择 MOSFET BSS127 H6327XTSA2、能否请向我建议适合 800V 应用的 MOSFET (I_out= 10mA)。
感谢您的支持。
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
Other Parts Discussed in Thread: DRV2700EVM-HV500
器件型号: DRV2700EVM-HV500
您好:
在 DRV2700EVM-HV500 中、您已选择 MOSFET BSS127 H6327XTSA2、能否请向我建议适合 800V 应用的 MOSFET (I_out= 10mA)。
感谢您的支持。
Lesdey,
通常我们不推荐其他方的组件、但我做了一些快速搜索、一些示例可以是 IXYS IXTA08N100D2 或 STMicroelectronics STB10N95K3。
源极电阻器 Rs 为与反馈引脚交互的晶体管设置电流。 对于 3.3V 或 5V 输入、通常使用 2k Ω 至 10k Ω 的值。 您可以保持与 EVM 类似的值。
漏极电阻 Rd 会限制流经 MOSFET 的电流、并定义反馈引脚上的调制增益。 在 800V 条件下、您必须相对于 500V EVM 增加这些值、以使电流大致相同。 与 500V 设计相比、值增加~60%。确保您的电阻器 Rd 的额定电压为高电压 (800V)。 标准 0805 电阻器通常仅具有 150V 至 200V 的额定电压;您可能需要使用多个电阻器串联或特定的高电压额定值元件。
将电路限制在较低的输出电压 (600V、而不是 800V) 是正常现象、这可能是由于反馈或输出级中其他元件的电压额定值、而不是初级 MOSFET 本身。 IPN95R3K7P7ATMA1 MOSFET 的漏源电压 (Vdss) 额定值为 950V、因此能够处理 800V 输出。
