[参考译文] DRV8353：栅极驱动电压

您好：

我写的第一部分内容是： 我向客户提议了 DRV8323 和 DRV8353、它们是三相 BLDC 电机驱动器。

谢谢您、

T.Imai

尊敬的 Akshay-san：

感谢您的答复。  客户也会查看 STDRIVE102H。

客户使用升压转换器从电池生成 12V 电压、并将其提供给栅极驱动 IC。 STDRIVE102H 似乎能够驱动具有内置 12V 输出 LDO 的 12V 电压下的外部 MOSFET。 因此、有一点需要考虑：DRV8323、DRV8353 还是 DRV8329 是否可以输出 12V 电压用于外部 MOSFET 的栅极驱动、从而与 STDRIVE 竞争。

我同意您的看法、11V 足以导通 MOSFET。 但是、客户希望尽可能使用导通电阻较低的 MOSFET。

以下三个 MOSFET 是候选方案。

・STMicroro : STL130N4LF8 (STL130N4LF8|产品 — STMicroelectronics)

・先进电力电子: AP4NA2R3CYT（产品| A-Power）

・ROHM : RH6G040CG (RH6G040CG— 数据表,产品详细信息| ROHM.com)

我还认为 Vgs=11.5V 和 12V 之间的导通电阻没有很大差异、它会根据产品的变化而变化。 MOSFET 数据表中的导通电阻与 Vgs 特性间的关系仅显示最高 Vgs=10V。 但是、客户有自己的想法。

请让我再次确认。 向 VM 提供 12V 电压时、DRV8323、DRV8353 和 DRV8329 是否无法输出 12V 电压来驱动外部 MOSFET 的栅极（如 STDRIVE102）？

如果上述正确、我将告诉客户、MOSFET 的 11.5V 和 12V 栅极电压之间没有很大的导通电阻差异、并且导通电阻会因产品差异而异、并让他们考虑 DRV8323。

谢谢您、

T.Imai

嘿、Imai-San、

ST 器件仅显示 25°C 时的变化、我们的规格是在整个温度范围内的变化。 因此、在较高的温度下、VGS 可能也会更低。

但 在 12V 时是、VGSH 的 DS 显示的变化不是 12V。 但根据 MOSFET、现在似乎它们将完全增强。 我会要求他们再次检查是否有任何问题。

此致、
Akshay

尊敬的 Akshay-san：

感谢您的答复。 请允许我确认  你的答复。 “它们将得到完全增强“是什么意思？

 “我会要求他们仔细检查是否有任何问题。“ 意味着 Akshay-san 将确认并与我联系以通知您的确认结果？ 你要我做什么?“

谢谢您、

T.Imai

嘿、Imai-San、

完全增强后、我的意思是 MOSFET 如果完全导通的话。 我希望 Imai-San 根据 MOSFET 数据表与客户联系、了解他们关心的问题。

此致、

Akshay