Other Parts Discussed in Thread: DRV8161, CSD18543Q3A
器件型号： DRV8161
主题中讨论的其他器件： CSD18543Q3A
您好：
我们在应用中使用 DRV8161
我们的负载为 (120mH 或 10mH)、负载电流为 6A、如下所示
•占空比：0、5%–95%、100%
您能帮助我们选择吗
1) 选择 Idrive 以及 RIDRIVE1 和 RIDRIVE2。我们将 CSD18543Q3A MOSFET 用于 HS 和 LS
2) 我们是否可以使用 1 引脚 PWM。请确认此配置在所有集成保护功能（主要是 OCP 至 VDS 监控可用）下是否有效。
3) 如何选择 VDSLVL
4) 如何选择 RCSAGAIN 是否有任何呕吐物
5) 是否有任何形式的 Rsense 选择
您好：
1.您可以在此处阅读有关 IDRIVE 选择和计算公式的大量信息： https://www.ti.com/lit/an/slva714d/slva714d.pdf?ts = 1772233382509&ref_url=https：//www.253A%252F%252Fwww.google.com%252F
您可以选择上升时间和驱动电流、并为您的系统计算理想值。
但是,你也可以通过试验不同的设置实验选择最佳的 idrive。 我建议从较低的 idrive 开始,然后再努力你的方式。 不要在 IDRIVE 上过高、因为这可能会导致栅极和输出上出现高振铃并可能损坏器件。 您可以尝试将导通/关断时间设置为~150-200ns、以确保安全。 然后、您可以相应地调整 RIDRIVE1 和 RIDRIVE2 的大小。
2.是 1 引脚 PWM 模式应提供所有可用的保护
3.可通过计算 VDSLVL / Rdson (MOSFET) 来选择 VDSLVL、以实现将触发保护的电流电平。 您提到工作电流为 6A、因此您可以选择高于 6A 的电流值来触发保护功能。 由于该值较低、您可能会使用较低的设置之一。
4. RCSAGAIN 将对应于本表中的一个值：
5.您可以在线查看低侧分流电阻尺寸最佳实践、以获得理想分流电阻值建议。
6、不使用电流传感时,如果插针打开,可能会与低侧保护电路发生混乱。 我建议按照数据表的建议进行连接、而不是使用输出。
谢谢、
Joseph
你好 Joseph ,
感谢您的支持。
根据智能栅极驱动器应用手册、栅极驱动器压摆率控制不需要外部元件。 也适用于 DRV8161 驱动器
您好：
1.在智能栅极驱动器中,输出侧的外部组件不是必需的。 如图中的两个栅极电阻器和二极管。 这些元件用于限制栅极驱动电流、但您可以使用 IDRIVE 设置来调整该器件。
具体而言、在 DRV8161 上、通过 IDRIVE1 和 IDRIVE2 引脚控制 IDRIVE 设置。 您可以按照数据表中的说明选择栅极驱动电流。
2.插入死区时间是由设备提供的一种保护,以防止发生击穿情况。 与 DT/MODE 引脚的关系方式是、您可以使用电阻器设置电平（可在表中找到）
谢谢、
Joseph
您好：
在这种情况下、可以短接 SP、SN 并将其接地。 可以将输出信号保持悬空。 确保 SL 仍接地。 这对于操作很重要。
谢谢、
Joseph
您好：
1.请在此处查找 1 引脚 PWM 模式的真值表
2.使引脚不检测到故障。 故障检测在引脚内部进行：VDRAIN - SHx 和 SHx - SL
谢谢、
Joseph
您好：
请参阅 GVDD 上的工作模式电流规格以观察 IC 功率耗散
谢谢
Joseph
谢谢 Joseph、
我们使用 1 引脚 PWM 输入。
1) 对于 DT/MODE 死区时间设置、我使用 1M、0.1%的电阻器。使用此电阻器时、 死区时间将达到 901.1nS。 但根据数据表、建议最大值为 900ns。这是否可以使用 1M
2) 从下表中、tDEAD_CFG 和 tDEAD 之间有何差异
另外、对于自举电容器计算 、还需要考虑 VGH-VSH 是什么
您好 Joseph、
对于 CBST 计算、我使用数据表中的 VGH-VSH、即 0.2V 是否可以
你好 Joseph ,
1) 根据您之前对 GVDD 内部电源 IC 功耗的回复、DRV8161 具有外部 GVDD 电源和外部 NMOS。为此、需要考虑功率耗散
2) 如何为 DRV8161 配置压摆率
3) 我正在考虑 Isource= 768mA 和 Isink=IDRIVE 设置 1024mA。 我们使用的 MOSFET 为 CSD18543Q3A。该 IDRIVE 设置是否起作用。
4) 如果可能,您可以共享 WCA 所需的逻辑信号 (INH、INL) 所消耗的电流
你好、Jospeh、
对于 DRV8161、因为我们要通过 IDRIVE 设置栅极电流。 因此、若要计算 MOSFET 中的开关功率损耗 、我们需要考虑通过 IDRIVE 计算出的 t_rise 和 t_fall、如下所示
谢谢
您好：
对于 DRV8161、建议使用反向电池保护、因为我们将 Vbatt 连接到 VDRAIN 和 HS MOSFET 漏极 
您好：
请参阅下表、了解最小值和最大值
谢谢、
Joseph
您好、Joseph：
感谢您的支持。
1) 您能否考虑以下条件分享 DRV8161 的冷启动报告
2) 对于 VDRAIN 引脚在冷启动期间有任何问题,如果是
什么是 典型和最大/最小 UVLO 阈值 总线电压
3) 对于 VBST_UV、我们计算 VBST-VSH、如下所示是正确的
VBST=VGVDD=10V
VSH = 3V（最坏情况下的冷启动电压）
VBST-VSH=10-3 = 7V
4) 我们的 PWM 频率是 1.2kHz ,如何选择涓流电荷泵开关频率
您好 Joseph、
您能告诉我们吗
1) VDRAIN 引脚峰值电流
2) VDRAIN 引脚连续电流
3) VDSLVL 的 LEVELx-0（未检测到脉冲）和 LEVELx-1（未检测到脉冲）是什么
4) 对于突出显示的 VBST-VSH、 请确认
a) 是 VBST 减 VSH
b) 还是以 SH 为基准的 VBST
您好：
1.我们没有冷启动报告信息。
2. 注意这些条件下的高侧 VDS 显示器。 您可以在表中看到、当考虑 VDRAIN 到 SHx 电压时、会触发故障的条件
3.是的
4.您不选择电荷泵频率,这是设备内部的频率。
1.我不理解您问 VDRAIN 电流是什么
3.如果 VDS_LVL 引脚上的脉冲大于 T_VDSLVLFIL (4us)、器件将进入 LEVELx-1 模式
4. VBST 减 Vsh
