[参考译文] MCT8329A：有时由于重复写入而未写入。

你好、Venkatadri-san

感谢您的答复。

清除所有程序和字节间延迟。

-我知道你的说法是数据不能正确地写在影子 RAM 的第一个地方。 我的理解是否正确？

-还有,从影子 RAM 区域到 EEPROM 的数据传输是否失败?

此致、

HIG

Hi Higa San,

由于这可以很好地重现、 我们是否应该使用逻辑分析仪并验证 i2c 数据？

关于内部 RAM 到 EEPROM 的问题、不可能出现这样的问题。  

谢谢、此致  

Venkatadri S.  

你好、Venkatadri-san

感谢您的确认。

我请求客户继续使用逻辑分析仪进行监控。

我想通过以下步骤再次确认 EEPROM 数据是否正确写入。

您能否确认程序是否正确？

1.将数据写入影子 RAM（考虑保留位，依次写入 0x80-0xAE）

2.发出写入命令并传输数据（将 0x8A500000 写入 0xE6 寄存器）  

3.确认 750ms 等待后 0xE6 寄存器为 0x00000000（以确认对 EEPROM 的写入完成）

4.关闭电源

5. 3 秒等待

6.开机

7. 2s 等待

8.发出 EEPROM 读取命令

9.等待 200 毫秒

10.比较读写数据

*确认插入了字节之间的延迟 (100us)。

此致、

HIG

Hi Higa-San、

程序正确、步骤 3 是不错的步骤。

然后 I2C 数据可能有问题、请获取数据进行验证。

谢谢、此致

Venkatadri S.

你好、Venkatadri-san

很抱歉耽误你的时间。

我的客户说当时很难获得波形数据、因为写入失败的频率很低。

但是、可以记录读取的数据。

在某些情况下、即使写入了影子 RAM、到 EEPROM 的传输似乎也失败。

但是、当字节间延迟为 200us 时、传输失败的频率会显著降低。 （目前，写入超过 100 次时没有失败。）

我收到了以下其他问题、请帮助我。

- 如果通信速度大大降低到 5 kHz ,例如,字节间延迟会超过 100us,但这是否没有问题?

-有没有任何可能的原因,为什么写入不失败时从 100us 更改为 200us ?

此致、

HIG

Hi Higa San,

所需的 100µs 延迟可提供相对于实际 60µs 要求的足够缓冲器裕度。

尽管发生频率较低、但捕获分析可能会揭示时序违规或其他线索。 请确认采集是否可行。

谢谢、此致

Venkatadri S.

你好、Venkatadri-san

这不是标准速度、但如果您将通信速度设置为 5kHz、字节距离将为 100us。 还是有问题吗？

此致、

HIG