[参考译文] DRV8242-Q1：DRV8242 低‑μ A 侧电流检测：是否会使返回电流流经散热焊盘？

您好：Orlando、

感谢您在这个论坛上发帖。  

外露散热焊盘是否在内部以电气方式连接到 GND、或者是否仅热焊盘 ？

内部未以电气方式连接到 GND。 它是仅导热金属凸片、与管芯孔直接机械连接。

如果它连接到 GND、那么除了 GND 引脚外、H‑电桥是否返回流过散热焊盘的电流？

不、不是。

是否会通过低‑μ Ω 侧分流器将散热焊盘直接连接到接地平面？

不、不是。

是否可以将散热焊盘连接到单独的铜岛（在分流器之后进行单个‑μ F 点连接）？

从电气角度而言、建议的最佳实践是将散热片连接到 GND。 请遵循数据表第  9.4.2 节“布局示例“中的建议。

DRV8242-Q1 设计为高侧 FET 集成了电流检测功能、数据表中对此进行了说明。 使用外部低侧电流检测的目的是什么？ 连接外部检测电阻将改变 FET GND（源极）电势、并可能影响驱动器和内部监测电路、例如过流保护。  即使外部分流器上的 100mV 峰峰值也可能会影响器件的运行。

虽然您可以自由使用适合您的应用的东西、但不建议使用外部低侧。 如果您正在考虑使用它、则必须 在您的最后进行彻底评估  

此致、Murugavel  

您好 Murugavel、  

感谢您的答复。 我知道可以进行集成式电流检测。 但是、它可以在电流从漏极流向源极时测量电流、而不是反其道而行之、这就是我们考虑使用分流电阻器进行双向检测的原因。  

在影响内部监控系统的情况下、是否只影响过流保护？ 还是您预见到其他问题？

您好：Orlando、

但是、它可以测量电流从漏极流向源极时的电流、而不是反其道而行之、这就是我们考虑使用分流电阻进行双向检测的原因。  [/报价]

请参阅下面的电流与 IPROPI 输出间的关系表示。 正如您提到的、检测仅在 HS-FET 上、每个半桥检测只能测量一个方向、即 HS-FET 的漏源极。 对于全桥配置、由于 DRV8242-Q1 使用高侧电流再循环、因此在电机正向、反向和电流再循环或 PWM 关闭期间、至少可以测量其中一个 HS-FET 电流方向。 从技术上讲、IPROPI 输出基于双向电流、只是它在两个方向上都显示正输出。 根据控制逻辑、您可以确定 其极性。

当电桥处于 Hi-Z 或关断状态时、IPROPI 不会输出任何通过体二极管流动的电流。  

 您要使用低侧分流器测量的确切双向电流。 低侧分流器 也可能有一些限制。 此外、基于集成 ITRIP 的电流限制或调节需要内部电流检测。  

内嵌式电流检测将真正在所有条件下测量双向负载电流、而不会影响驱动器的内部运行。

如果内部监控系统受到影响、是否只影响过流保护？ 或者您是否预见到其他问题？

我们无法确定、因为该器件未进行表征或未打算与外部分流器配合使用。 概括来说、LS-FET 源极电势将受到影响。 必须使用电阻超低的分流器尽可能降低压降。 将压降保持在±100mV 是不错的。 这将使栅极驱动影响可以忽略不计、并且可以避免内部使用的任何握手。 如果您使用 LS-FET 电流分流电阻器、这还会将对 OCP 检测的影响降至最低。  

此致、Murugavel   

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