我正在为350W 集线器电机构建一个三相 BLDC 控制器。
迄今为止，它的工作正常，但在更高的目标电压(更快的速度)下，MOSFET 正在加热，并且开关发出明显的噪音。 我使用0.05%的软件死时间，但高端 MOSFET 似乎没有立即关闭，并且在关闭期间正过死时间。
下图显示了发送至 drv8300 (绿色波形)的输入信号和发送至 MOSFET (黄色波形)的 drv8300的高侧输出。
高侧问题适用于所有三相。低侧 MOSFET 栅极信号非常完美。
这种情况与负载无关。
请支持我这样做。
谢谢你，
赛义德·萨米乌拉，
CTO @ Enarxi Innovations Pvt. 有限公司
下面是布局的顶层。底层是完全地面平面， 有必要的视图。
请参考图片。
MOSFET 在双周期低于50%时未加热。如果我将占空比增加到50%以上，它会随着时间慢慢升温，达到一个温度，我无法用裸手接触超过一分钟。总共需要7分钟 几分钟或更长时间加热。
门电阻器为15欧姆，尽管在轨道上测量时显示为18欧姆。
我缺乏有关雪橇速率的信息。我也会研究这一点。
Syed，您好！
在快速回顾后，我看到了很多热连接，而不是直接连接。 我们不建议使用热连接，因为散热需要尽可能多的铜面积。 电动机连接和 MOSFET 连接具有热电流，因此功率损耗将随着热散热而散失，当铜线区域发生断裂时，散失难度更大。
我也没有看到交换机节点(SHA/SHB/SHC)的多层，因此几乎所有热量都会在这次铜倒出时消散。 与 DRV8300DIPW-EVM 布局相比，电动机电流路径有多层铜缆，50~100 vias 直接连接层间的网。 
对于栅极驱动电流，由于栅极驱动电流最大为750mA，因此15欧姆可能会有点小。 我会检查 MOSFET 的 VDS 转换速率，以确定 FET 的开启速度是否太快。 转换速率超过100 ns 会导致感应尖峰，过冲，不良 EMI 性能或门切换不当。
此外，栅极驱动轨迹看起来非常薄，具有15-20 mil 宽轨迹，当切换较高栅极驱动电流时，通过降低栅极驱动路径中的寄生电感，可帮助实现 FET 的接通/关闭。 
谢谢，
亚伦
你好，Aaron，
我根据您的建议，根据 DRV8300的 EVM 设计对硬件做了一些调整。 它似乎通过消除栅极信号的噪音和峰值来提高系统性能。 尽管高侧 MOSFET 在关闭时仍然出现故障。
我还观察到，在较低的切换频率下，MOSFET 栅极高侧关闭时的故障消失了。
以上图解在95%的二元周期下为20kHz 切换频率
以上图表以2KHz 切换频率 为95%的二次循环
我怀疑靴带电容器的值，因为我使用的是100V 1uF 陶瓷电容器，但在 EVM 中使用了25V 1uF 的靴带电容器。
使用100V 引导电容器可能会影响信号吗？
由于我没有 IsoVu 探测器，我无法检查 VDS 信号，您能否建议一种替代方法来检查作用域上的相同信号。
Syed，您好！
很高兴看到性能正在提高。 对于瞬变源，DRV8300在 GHRX/GLX 下的 ABS 最小规格等级较低。 
额定电压为100V 的引导不会影响性能。
我不知道什么是 IsoVu 探测器。 您能否仅使用单端探头测量 SHX？ 您可以通过计算从 SHX 到 GND 的 LS FET 上的 PVDD-SHX 和 VDS 来计算 HS FET 上的 VDS。
谢谢，
亚伦
你好，Aaron，
我检查了下侧安全门和 SHX 之间的情况，看起来很奇怪。
不确定导致这种情况的原因。
“您可以通过计算 PVDD-SHX 计算 HS FET 上的 VDS”
我认为我们需要4通道的空间来实现这一点。 我只有2通道，无法从 SHX 中减去 PVDD。
绿色是低侧门信号，黄色是 SHX (低侧 VDS)。
时间划分：20US
我可以绘制上述三个参数，将尽快分享。
Syed，您好！
我对低侧门信号 行为感到困惑。 为什么 GLX 在蓝色圆圈中再次回到高位？ GVDD 电压是否小于10V？ 我希望在 SHX 变高后 GLX 保持关闭状态。 这表明 HS 和 LS FET 存在直通条件，并可能造成损坏。
当 SHX 变高时，可能会发生 DV/Dt 耦合。 这会导致 GLX 电压因 LS FET 处的寄生 CGD 耦合而升高。 使用更小的栅极驱动电流(增加栅极电阻值)，增加 GHZ 下限和 GLX 下限之间的死时间，并具有强大的功率级布局来缓解寄生虫，这些都是规避此问题的方法。
请在有机会时分享您的其他波形。
谢谢，
亚伦
