您好,
客户想要了解一些信息,以了解数据表(SLVSBD6D)第26页中介绍的以下信息。
“为了降低芯片上的噪声级别,可以在敏感电流测量期间关闭升压转换器
使用B_EN销。 只要禁用时间间隔足够短,增压输出电容器就可以保持
提高输出电压足够高。”
问题1:
数据表中说明了传播关闭(DRVOFF)延迟时间(最大400ns),但未说明传播打开(DRVON)延迟时间。
请告知最大传播开启(DRVON)延迟时间。
问题2:
请告知以下启动和禁用时间。
1) 从B_EN上升边缘到开始切换的最长延迟时间
2) 从B_EN下降边缘到停止切换的最长延迟时间
问题3:
客户想知道在测量电流时,他们可以禁用升压转换器的时间。
我认为升压电压应高于V BOOSTUV,它取决于V升压的负载电流。
因此,我询问他们的外部电路与负载和条件相关(MOSFET是开关或稳定)。
我将询问您客户使用案例中可能的增压禁用时间。
请告知您是否需要有关我向客户要求的信息的其他信息。
(例如VS电压等)
此致。