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[参考译文] DRV595:增加功率容量

Guru**** 2373240 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV595
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/581016/drv595-increasing-power-capability

部件号:DRV595

亲爱的,不管你是谁!

我有一个应用程序现在可以很好地与一个DRV595配合使用,但会涉及到一些风险,即达到最大电流(环境将不会有问题,因此我假设我可以比4A稍高一点)。

它的全部内容是微调Peltier操作,以及在 项目的稍后阶段不能理解其效果。 这在很大程度上取决于系统集成。

我想确保我有备份计划。

在任何应用手册中均未描述主从模式。

是否可以通过并联两个DRV595的输出来增加主/从配置的电流容量?

如果 不建议使用此方法,您建议使用哪种解决方案?

TI E2E后置驱动高功率TEC模块(64V/6A)"是否为替代产品?

与DRV595相比,除了当前功能外,该方法有哪些缺点?

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    您好,Anders:

    我们的专家已收到通知,应尽快答复。
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    您好,Anders:

    感谢您对TI产品的关注。 我想 您希望在您的应用中,两台DRV595能够同步工作,两台设备使用相同的输入和驱动相同的负载来实现高输出电流,对吗? 从理论上讲,这是可行的。 但它不是DRV595的典型应用程序,因为同步设备应该驱动两个单独的负载。  目前 ,我们没有多少测试数据用于这种应用,但理论上可以正常工作。

    4A最大输出电流受PVCC和负载的限制。  如果 PVCC和负载不再是瓶颈,则最大输出电流可达到约7.5A。 因此,您也可以使用更高的PVCC来获得更高的输出电流。  

    关于主/从模式,以下是有关其工作方式的一些描述。 在单个应用中使用多个放大器时,增益/SLV和同步终端可用于同步D类输出切换的频率。 当设备处于主模式时,输出切换频率由选择连接到ROSC端子的电阻器来确定。 同步终端在此模式下成为输出,此输出的频率也由选择的ROSC电阻决定。 此TTL兼容的推拉输出可连接到其他 DRV595设备,配置为从模式。 当设备处于从属模式时,输出切换频率由同步输入上的传入方波决定。 同步终端在此模式下成为输入,并接受 来自在主模式下配置的另一设备或外部GPIO的TTL压扩方波。

    此致,

    郑少文

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    因此在实践中,我需要了解的是热跳闸点和过电流跳闸点。
    您在数据表中提到的4A来自何处,您对该信息的支持是什么?
    组件等的使用寿命
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    您好,Anders:
    7.5A过流保护阈值用于瞬时信号。 当输出电流超过阈值时,将触发OC故障。 但最大输出为4A更适合热量考虑。 连续输出大电流时,温度可能会升高,当温度超过阈值时,将触发OT故障。 因此我们在数据表中使用4A最大输出电流,但实际上这只是一个粗略的数字。 如果系统中的热设计足够好,则最大输出电流可以超过4A。

    此致,
    郑少文
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    基于热阻JA 22度/宽,85°C环境和热跳闸点150°C,设备中的耗散为2.95W。
    假设您的粗糙4A有效,那么我得到一个186毫欧的RDSon。
    从数据表中的典型曲线中,我们可以看到RDSon与环境温度的对比。(在本例中,25°C时为60°hms,电气特性表中也有说明)。
    如果我比较一下RDSon,在150°C时会有显著的差异。
    芯片温度与环境温度不同,环境温度会干扰结论。
    我是否应该解释RDSon在室温150°C时的芯片温度为Tj=215°C。
    在我的资源或数据表中的某处存在不一致。
    请您提供建议吗?
    设备中可以消耗多少电能?
    是否是典型RDSon曲线中显示的切屑温度?
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    您好,Anders:

    数据表中RDSon与温度之间的图形没有问题。

     数据表中显示了两种公式,它们用于计算最高环境温度。 我们以4A输出电流为例。 从数据表中的RDSon与温度图中,我们知道RDSon~Ω= 77mOhm,Tj=135°C。 此处我们使用的是Tj=135°C,因为OT触发点为150°C,容差为±15°C。然后,Diss~=1.232W,封装中的功耗约为2.5W (H形桥)。 请注意,此数值仅为 RDSon的热损耗,不包括联结线的损耗,封装导线的损耗等。  然后 Ta=135-(22个2.5)=80°C。 如果计算封装中的其他功率损耗,则最高环境温度应稍 低一点。  

    此致,

    郑少文

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    你好,肖恩!
    感谢您的及时回复。
    我反复检查,以便获得与网站上相同的数据表,SLOS808A–2012年12月–2013年3月修订
    典型特征图4 RDS (接通)-漏-源接通电阻mΩ Ω 与TA -环境温度-°C
    根据您的信息,我了解到这种典型特征适用于Tj,而不是室温,RDSon~Ω=77mOhm,Tj=135°C。
    这与我前面提到的传统相比较,数据表标题是错误的。
    然后回到我最初的调味器,应用135°C而不是150°C。
    基于热阻JA 22 deg/W,85°C环境和现在的热跳闸点135°C,设备中的耗散为2.27W,基于4A,总电阻为0.14mohms。
    根据您的图4 (现在为Tj而不是Ta),在135°C时RDSon为77mOhms,如您所述~= 1.2W。 ~其它耗散为= 1W,在4A时附加串联电阻为62 mohms。
    现在,由于总电阻约为0.14欧姆,所有电阻都聚集在一起。

    在我的情况下,环境温度为40°C,因此跳闸点为135°C时,设备的功耗~= 4.3W。 这是相当高的。
    这进而导致当前可能的电流为sqrt (4.3 / 0.14)~= 5.5A
    它看起来是否合理?

    在数据表中,还有热特性参数。 根据我到目前为止所做的温度测量,并使用热特性图PHIjt进行计算,我得到了不合理的高功率耗散。

    我想我将采用增加电流的方法,直到热跳闸点。 我假设当时的温度为135°C,并以此来了解我在设计中的余量。
    为了进行热表征,是否可以固定热断点为135°C的设备?
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    您好,Anders:
    正如我前面所说,输出电路中有两个晶体管,由于H桥结构的原因,您需要在总功率分解计算中使用2*RDSon。
    此致,
    郑少文
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    你好,肖恩!
    清除。
    唯一剩下的就是您确认数据表标题"典型电气特征图4 "需要更新,即结温而非环境温度。
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    您好,Andres,

    非常感谢您提供的信息。 我们将在稍后发布更新的数据表。

    此致,

    郑少文

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    你好,肖恩!
    没问题,感谢您的及时回复。
    为了进行热表征,是否可以固定热断点为135°C的设备?
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    您好,Andres,
    很抱歉,我不太理解这个问题。 请您帮忙解释一下吗? 谢谢。
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    为了能够了解到热跳闸点的余量,让DRV595样本在135°C时跳闸会很有用。
    是否可以在135°C触发点保持DRV595样本?

    我认为这种方法比尝试使用红外热像仪,热电偶测量温度,然后通过应用热阻或热特性数据向后计算结点温度要有效得多。
    根据数据表中提供的数据:
    在5.5A时,在135°C的工作温度下,使用典型RDSon时,设备的功耗约为4.2W。 然后,通过连接至顶部0.3°C/W和135°C的跳闸点,壳体温度变为133°C。
    使用5.5A时的板表征参数时,板上温度为115°C。
    在这些计算中使用的最差RDSon是什么?
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    您好,Andres,
    感谢您的解释。 现在我明白了。 这确实是一个很好的创意。 但热保护跳闸点为150+/-15°C。 温度可能为135°C或165°C。 因此,以这种方式计算的温度可能非常不准确。 数据表中显示的热更年期数据仅用于估计热设计并在系统中保留足够的余量。
    TI有一份有关热量测量的文档,请参阅。 www.ti.com/.../spra953c.pdf
    此致,
    郑少文
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    你好,肖恩!
    是的,这是我要求从生产中选择跳闸点为135°C的样品的资源。
    是否可以选择具有此跳闸点的样品?
    此致安德斯
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    您好,Andres,
    很抱歉,我们没有这种样品。 OT Protect仅是一项简单的功能,可保护设备免受热损坏,因此我们没有对该功能进行特征参数测试。
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    好的,谢谢更新。 如果有这样的样品,那将是很好的,因为这种方法是如此的不确定。
    感谢您在这件事上的帮助,如果您要一些解决方案,请访问我要求的样品。
    很高兴地发送到以下地址。
    Scanfil Åtvidaberg ó n AB
    ATT Anders Suomela
    Orsattersfabriken
    597 80阿维达堡
    此致安德斯
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    您好,Andres,
    当然,我会这样做的。