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[参考译文] DRV3220-Q1：DRV3220升压转换器诊断说明(OC，OV，UV)

admin
Guru**** 2373240 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/578167/drv3220-q1-drv3220-boost-converter-diagnostic-description-oc-ov-uv

部件号：DRV3220-Q1
主题中讨论的其他部件：Mando

您好，安全电机驱动团队，

我对DRV3220上的升压转换器诊断功能有一些疑问。 请检查并返回您的答案。

  1. 当电流超过第一个阈值时，如何使用RBOOD_SHUt检查升压转换器OC故障状况？ 客户设置了带有Rbood_shunt的0.45A，并想知道如何检测升压OC故障情况。 您是否认为无法使用Rboope_shunt检测到升压OC？

    客户担心即使发生故障情况(Boost OC)，在升压OC期间也无法检测到。

     

  2. 如果客户不使用第一个阈值(不使用Rbood_shunt)，当她仅使用第二个阈值作为内部电流限制时，是否会出现任何副作用？

     

  3. 升压转换器超过当前第二个阈值的值似乎固定在0.6A至1A之间。 值的变化是否取决于设备偏差？

     

  4. 我为升压转换器OV和OC制作了如下表格。 如果有任何错误或缺失，请更正。

 

故障条件

检测

检测可配置性

行动

升压转换器

增压输出电压相对于GND过载

使用CFG4，2 (DISBSTOER)将升温OV错误报告配置为ERR引脚

关闭内部低侧增压FET
可以使用Flag - 7.6 (BOUD_OV)检查错误状态

过压

64 (最小) 67.5 (典型) 70 V (最大)

 

升压转换器

第一个小时

0.15V/Rboost_sun.(0.15V/Rboost

否

关闭内部低侧增压FET
NP标志

过电流

 

Mando套件0.45A

 

 

第二个

600至1000mA

否

关闭内部低侧增压FET
可以使用Flag - 7.7 (BOOST_OC)检查错误状态

 

无法调整的内部电流限制

 

 

谢谢

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    TI__Guru**** 2373240 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好，Anthony：

    我们的专家已收到通知，应尽快答复。
  • 0
    TI__Guru**** 2373240 points
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    Anthony，您好！

    1. 我想澄清两个升压OC阈值。 Rshunt电阻器设置的FIRS阈值实际上不是故障条件，在正常操作期间用作维持增压调节的一部分。 内部检测到的第二个阈值将标记故障条件。
    2. 仍需要包括Rshunt电阻器，但不能检测到第一个OC阈值，因为它不是故障。
    3. 是的，设备变化负责第二次增压OC阈值的检测值范围。
    4. 是的，此表看起来正确。 这是对这些故障的良好总结。

  • 0
    TI__Guru**** 2373240 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好Michael：

    感谢您的回答，下面还有更多问题。

    如果Rshunt电阻器设置的第一个阈值实际上不是故障状态，为什么 DRV3220关闭内部低侧升压FET？

    当  内部低侧 升压FET 自行关闭时，客户似乎无法明确确切的根本原因。  

    客户 想要了解如何检查线圈电流是否超过Rboost_shunt的限制设置值，以及 为什么DRV3220会关闭内部低侧升压FET，即使这不 是故障情况。

    您能否提供 计算  DRV3220总功耗的公式？

    谢谢

    Anthony Kim    

  • 0
    TI__Guru**** 2373240 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Anthony，您好！

    在Rboost_shunt设置的电流限制下关闭内部低侧升压FET是正常操作的一部分。 如增压部分所述，增压转换器在脉冲模式固定频率控制器上工作。 每个脉冲由内部低侧FET切换组成，以通过线圈获取电流。 标称切换为2.5MHz，但该器件还监控Rboost_shunt上的电压，以确定线圈中的电流，并在FET达到设置电流限制时关闭FET。 脉冲串会持续，直至升压达到滞后比较器的高水平(VBOOST–VS = 16V)。

    如果客户想要确定线圈中的电流，他们可以从外部监控Rboost_shunt上的电压，并将其计算为I = Vboost_shune/Rboost_shunt。

    如果您能提供更多信息，我可以为您提供一个很好的功率估算值：

    • Vs工作电压
    • PWM频率
    • FET的Q_gate或FET的部件号
    • 增压时的外部负载(如果用于为其他电路供电)

    此致，

    -Michael

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    TI__Guru**** 2373240 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好Michael：

    请参阅我的答复如下。

    • VS工作电压：正常工作电压为8至16V
    • PWM频率：20kHz
    • FET的Q_gate或FET的部件号：100nC
    • 增压时的外部负载(如果用于为其它电路供电)：增压时无其它负载

    谢谢

    Anthony Kim

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    TI__Guru**** 2373240 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Anthony，您好！

    控制方案是否为FOC？ 如果是这样，在这些条件下，您可以预期在8V PVDD时约为1W，在12V PVDD时约为1.25W，在16V PVDD时约为1.5W。

    此致，

    -Michael