您好，
我们根据您的参考设计为24V电磁阀构建了一个定制板。 但是，我们使用的是28V电磁阀，不会从电压进入DRV110的Vin为任何其他电路供电。
使用Excel工具(顺便说一下，这一点非常感谢)为组件提供值。 数据如下所示：
我们的主板示意图如下所示。 注意有许多不安装：
令我们惊讶的是，在28V电压下，我们得到的电流为0.8A，而不是1.33A的保持电流。 更令人惊讶的是，当我们降低电压(28，24，20等)时，电流会增加。 在18.8伏时，1.33A似乎已经达到。 进一步降低此电压表明电流再次下降。我们的电磁阀的额定电压通常为24V，电阻约为9欧姆。
电磁阀电压的变化非常令人困惑。 唯一明显的影响来自DRV110A_VIN电源。 没有其它针脚与输入电源连接。
是否有人有类似的经验或建议？
谢谢！
我们可以尝试解决这个问题。 但是，这将如何产生如下所示的曲线？ 这是我们今天在一个略有不同的电磁阀上进行的测量，但曲线的特征是我们当然不了解的...
谢谢！
马特
您好，Travis，
遗憾的是，无法将所有这些都放在同一范围内。 但Vout /栅极和Vsense在一个电阻上有电压差，然后显示电流感应电阻器(0.03 欧姆)之间的电压差。 我们昨天对电磁阀进行了持续时间测试，它可能已损坏了一点。 虽然电流与电压之间的电流仍不恒定，但'峰值'已向下移向15V侧。 尽管如此，电流随电压的变化对我们来说还是一个谜...
感谢您的帮助！
感谢Matt的示波器！
Vout波形证实了我以前的信念-您使用的MOSFET没有达到正常操作所需的上升时间，曲线上升边缘就证明了这一点。 我已经包括了数据表中的规格和一个快速计算，该计算显示了FET充电缓慢的原因。
由于DRV只能直接驱动大约10mA的电流，因此计算结果大约为6US充电时间(见示波器画面)：
如您所见，FET设计用于在10V驾驶时提供18ns的上升时间。 虽然这与充电时间不是完全相同的规格(充电时间不一定是线性的)，但我认为这仍然很好地表明了我们与标记的接近程度。
我认为您需要做两件事之一来实现您所希望的输出电流。
选项1：将MOSFET更换为栅极电荷显著较小，上升时间较短的MOSFET。 只需进行简短的搜索，我发现以下FET在规格列表方面非常合理： http://www.ti.com/lit/ds/symlink/csd1.9538万q2.pdf
选项2：在DRV和MOSFET之间添加栅极驱动器，以便更快地为栅极充电。
祝您好运！
Travis
