[参考译文] CCS/BOOSTXL-DRV8305EVM：我的MOSFET过热

我认为这可能是因为门驱动电阻器和死机时间。
1.将栅极驱动电阻值从4.7Ω 降低到0Ω，但MOSFET仍过热。
2，根据岗位规定，
e2e.ti.com/.../160.7367万

我将死机时间增加了一个计数，但电源电流没有下降。
#define HAL_PWM_DBFED_CNT 1.
//！ \brief定义PWM死区上升边缘延迟计数(系统时钟)
#define HAL_PWM_DBRED_CNT 1.
我将HAL_PWM_DBFED_CNT和HAL_PWM_DBRED_CNT定义为180，但电流也不会下降。

我使用drv8305驱动程序，它的死机时间为200ns。
也许MOSFET过热，不是因为死机时间？

我使用一个驱动器8305驱动两个CSD1.854万Q5B，是否需要调整IDRIVE驱动电流？


问题的其他原因是什么？

您好Ming，

如果您有电流探头，请在高电动机速度下查找异常电流。 如果您看到异常电流，请确定原因。

请检查FET的门，确认FET已完全关闭，然后再打开另一侧。

通过控制DRV8301的输入，您应该能够在没有电机的情况下执行此操作。

您可能需要增加停机时间和门电流。

大家好。
我使用drv8305驱动并联MOSFET。MOSFET为CSD1.854万Q5B。
我在汽车器具中运行lab05b程序，不调整IDRIVE设置。
门驱动电阻器为0 Ω。
现在我的问题是MOSFET过热。
请告诉我如何降低MOSFET的温度。
请告诉我如何在lab05b项目中调整IDRIVE电流。


我已经调整了死时间，缺省值cont是1，现在我将它更改为180，以便有2us死时间。
#define HAL_PWM_DBFED_CNT 180
//！ \brief定义PWM死区上升边缘延迟计数(系统时钟)
#define HAL_PWM_DBRED_CNT 180
但这似乎没有什么可做的。
请告诉我，请告诉我应该如何降低MOSFET的温度。
谢谢。