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[参考译文] CCS/BOOSTXL-DRV8305EVM:我的MOSFET过热

Guru**** 2358920 points
Other Parts Discussed in Thread: BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8305, DRV8301
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/600034/ccs-boostxl-drv8305evm-my-mosfet-is-overheat

部件号:BOOSTXL-DRV8305EVM
主题中讨论的其他部件: DRV8305CSD1.854万Q5BDRV8301MOTORWARE

工具/软件:Code Composer Studio

大家好,

我为我的UAV设计了一个ESC (电控速度控制器),并且使用InstaSPIN-FOC 算法。

根据BOOSTXL-DRV8305EVM对PCB进行设计。ESC功率为1kW。

现在的问题是MOSFET过热,电动机以4000转/分转速旋转,功率约为300瓦,drv8305由于高温而起保护作用。

我在E2E中找到了帖子。

e2e.ti.com/.../160.7367万

我将栅极驱动 电阻值从4.7Ω 减小到0Ω,但MOSFET仍然过热。

如何降低MOSFET温度?

请举手,

谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我认为这可能是因为门驱动电阻器和死机时间。
    1.将栅极驱动电阻值从4.7Ω 降低到0Ω,但MOSFET仍过热。
    2,根据岗位规定,
    e2e.ti.com/.../160.7367万

    我将死机时间增加了一个计数,但电源电流没有下降。
    #define HAL_PWM_DBFED_CNT 1.
    //! \brief定义PWM死区上升边缘延迟计数(系统时钟)
    #define HAL_PWM_DBRED_CNT 1.
    我将HAL_PWM_DBFED_CNT和HAL_PWM_DBRED_CNT定义为180,但电流也不会下降。

    我使用drv8305驱动程序,它的死机时间为200ns。
    也许MOSFET过热,不是因为死机时间?

    我使用一个驱动器8305驱动两个CSD1.854万Q5B,是否需要调整IDRIVE驱动电流?


    问题的其他原因是什么?
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    您好Ming,

    如果您有电流探头,请在高电动机速度下查找异常电流。 如果您看到异常电流,请确定原因。

    请检查FET的门,确认FET已完全关闭,然后再打开另一侧。

    通过控制DRV8301的输入,您应该能够在没有电机的情况下执行此操作。

    您可能需要增加停机时间和门电流。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    大家好。
    我使用drv8305驱动并联MOSFET。MOSFET为CSD1.854万Q5B。
    我在汽车器具中运行lab05b程序,不调整IDRIVE设置。
    门驱动电阻器为0 Ω。
    现在我的问题是MOSFET过热。
    请告诉我如何降低MOSFET的温度。
    请告诉我如何在lab05b项目中调整IDRIVE电流。


    我已经调整了死时间,缺省值cont是1,现在我将它更改为180,以便有2us死时间。
    #define HAL_PWM_DBFED_CNT 180
    //! \brief定义PWM死区上升边缘延迟计数(系统时钟)
    #define HAL_PWM_DBRED_CNT 180
    但这似乎没有什么可做的。
    请告诉我,请告诉我应该如何降低MOSFET的温度。
    谢谢。