[参考译文] DRV8321R：数据表中的AGND和DGND是否已交换？

Oskar，您好！

我们将在几天后进行调查并作出答复。

Oskar，您好！

所示连接正确。 如图所示，DVDD应参考AGND。

请注意，GND符号在典型应用中是相同的。 除VM外，Vref和DVDD也引用GND。

您好，感谢您对此进行调查。 好的，我在应用图中看到，所有接地都相互连接。 即AGND，DGND和PGND连接到相同的GND符号。

但是，从数字信号到模拟测量，共享接地和噪声耦合存在问题，尤其是电源接地在数字和模拟电路上注入大峰值时。 因此，我想按照DRV8301数据表中的建议，使用单独的模拟，数字和电源接地进行设计。

通常我会期望DVDD引用DGND，AVDD引用AGND，VM引用PGND。 降压调节器与BGND也是分开的。

因此，请你告诉我以下哪一种情况？

1. AGND，DGND和PGND都连接到芯片内部，因此，甚至不必费心分离接地
2. 线对与预期相同：(DVDD - DGND)，(AVDD - AGND)，(VM - PGND)
3. 配对是另一回事。 (请详细说明)

谢谢，期待在我的下一个设计中使用此芯片。

Oskar，您好！

我了解您对应用程序级别的关注。 需要注意的是，DRV8321R中的所有接地均通过防静电二极管进行内部连接，以实现ESD保护。 所以你不可能有真正孤立的场地。 我们的设计建议是在DRV8321R设置一个星点接地，如果您希望对各种接地网进行噪声隔离。

正如我在其他帖子中提到的那样，DGND是DRV8321R上的备用接地引脚，连接到IC的接地环。

AGND是我们的内部数字(DVDD)和模拟块(放大器，VREF)的主接地。
PGND用于VM (充电泵，低侧栅极驱动器，高侧栅极驱动器)
BGND用于降压

您好，Nick：

非常感谢您的澄清。

是的，我希望在DRV芯片下有一个星点，但在我的应用程序中，在同一板上有两个DRV (可能很快就有三个)。 请参见下图。 这意味着我必须将MOSFET使用的接地(在我的设计中为PGND)与微控制器和DRV开关输入信号在单点使用的接地(在我的设计中为GND)结合起来。

我犯了以前没有这样做的错误(请参阅 此处的文章)。 功率接地中的电感和MOSFET开关的di/dt沿直流总线造成电压峰值，当我从该总线的不同点导出数字接地时，DRV芯片将看到杂散开关信号。 总之，这是一个非常昂贵的错误，我们不得不回忆一下。

因此，我认为我将：

1. 将PGND本地连接到DC总线
2. 假设AGND和DGND是相同的网络，称为GND
3. 将GND连接到微控制器使用的主平面，并在远离DRV的某个位置与DC总线接地相连

在这种配置下，您认为ESD二极管会因~1V ~5ns峰值(PGND和GND之间)而损坏吗？ 您认为我是否需要在栅极驱动器输入信号上添加RC滤波器，以防止在这些脉冲期间出现虚假切换(或者ESD二极管的导电性是否不足以导致虚假切换)？

非常感谢您的建议！