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[参考译文] DRV8703D-Q1:充油泵活动产生的传导排放过量

Guru**** 2362820 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8703-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/634559/drv8703d-q1-excessive-conducted-emissions-from-charge-pump-activity

部件号:DRV8703D-Q1
主题中讨论的其他部件:DRV8703-Q1

当DRV8703不处于睡眠模式时,我看到传导辐射,其基本频率约为130-140kHz,并且有许多高阶谐波。  当H桥预驱动器未处于休眠模式时,即使两个输出都被驱动为低电平,也会发生这种情况。  我怀疑充电泵是原因,因为它的谐波与我需要抑制的光谱峰值非常匹配。  是否有过滤充油泵的建议?

这可能与较早发布的关于"干扰"的类似帖子有关。

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    Mark,您好!

     根据数据表,充电泵频率为200-700 kHz (标称400 kHz),因此我的猜测是传导的辐射 可能 不 是由充电泵造成的。 您可能能够测量CPL引脚上的充油泵频率以进行双重检查。

    您是否遵循了数据表第51页开始的"电源建议"和"布局"部分中的所有项目? 他们讨论正确的布局和分离。

    当您说您将两个输出驱动为低电平时,您将IN1和IN2针脚保持在低电平位置,对吗? 完全断开电机后,您是否仍能看到排放?

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    您好,James,感谢您的及时回复。
    我正在从80kHz扫描到1.8MHz,尝试模拟来自CISPR25的三个频段。 我看到131kHz,258kHz,520kHz等的峰值。
    CPL引脚给我一个1us脉冲大约每32us。 CPH也是如此,但却得到了提升。
    我们的主板是2016年11月发布的"drv8703-q1.pdf"修订版,在一次非常简短的检查中,该修订版看起来是相同的。 您是否有兴趣查看布局?
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    当负载断开时,脉冲仍约为32 us。 IN1和in2绝对低,尽管显然只是微弱地降低。
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    James,您好!

    我的主板布局工程师回应说,他确实利用了布局和去耦合建议。  他指出,示例布局不包括在线测试所需的测试点;这确实对该区域进行了一定程度的充气,以插入测试点本身或导入更远测试点的轨迹,但这是绝对的电子制造要求。

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    Mark,您好!

    我想查看您的产品的示意图和布局。 如果您不想在论坛上发布它们,可以通过私人消息将它们发送给我。

    当IN1和in2低电平时,如果探测DRV8703的电源引脚,您是否看到任何振荡或切换效果? 如果电源电压中有凸起,这可能表示充油泵或部件中的其他部件导致开关噪音。

     当启用DRV8703时,您的主板上的任何其他功能是否打开?

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    标记,

    您是否可以将铁氧体磁珠与VM电源一致?
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    您好,James:

    我正在研究如何使筛选器与虚拟机保持一致。  它在销旁边有一个通过。

    我们发现NDA 2017年04月19日 - 6.7711万和2014年09月22日 - 5.5653万的修订版3允许我们与TI共享设计信息。  如何向您发送私人电子邮件?

    -标记

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    Mark,您好!

    这周我和我的系统工程师进行了交谈,他建议在电池与主板连接的地方安装PI过滤器。 或者,您可以分别过滤每个芯片的VM针脚。

    如果您还有其他问题,请随时通过电子邮件与我联系。
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    您好,James:

    构建外部PI会有所帮助。  蓄电池馈线处的PI滤波器需要较大的电感器,以避免在15A以下饱和,而不是安装在外壳中。   我们可能能够在新布局中筛选VM pin。

    我研究了将100欧姆与充油泵电容器串联在CPL引脚上的问题。  这停止了标称电压下的跳循环行为,但未能显著降低峰值噪声级别。

    我已使用nSLEEP独立操作每个DRV8703。  每一个对噪音的影响都大致相同。  有时还会有其他一些在133kHz左右的辐射,这使得精确测量变得非常困难。

    此致,

    标记

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    Mark,您好!

    感谢您的更新。 您可以从 供应商处购买预置EMI滤波器。 这可能有助于调整大小。

    此外,您是否尝试在电缆上添加铁氧体磁珠?

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    您好,James:

    我将分享一个频谱分析器图解,说明当一个DRV8703的CPL上的100欧姆电阻与电容器串联,并且使用一些短跳线短路时的差异。  在这种情况下,使用电阻器可在145.8kHz时降低15dB。  我想不出这会导致DRV8703自身出现任何问题,只要充电泵电压变得足够高以增强高侧FET,我就不会看到输出驱动器出现任何问题。

    此图的设置基于我客户的线束和测试规范,该规范使用电压法*主要*直接的CISPR-25传导辐射。  CISPR-25规范在电池和被测设备之间放置5uH阻抗。  在我的实验中,在DUT功率的前端添加一个电感器会在两个电感器之间的线路上振铃。  添加完整的Pi滤波器是有效的。  但由于电感器所需的包装尺寸,不需要在卡中放置电感器,而电感器可以处理20A电流而不会饱和。

    此致,

    Mark Endicott

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    Mark,您好!

    我很高兴您找到了一种提高性能的方法,但我怀疑这是否是一种可靠的解决方案。

    TI不建议使用与充电泵电容器串联的电阻器。 我们的数据表建议为充电泵使用低ESR电容器,因此不建议添加此电阻。 虽然它适用于这种特定情况,但部分到部分的变化可能意味着某些系统可能无法正常工作。

    我只想让您了解这样做的风险,但我会询问我团队的设计师是否可以接受这种解决方案。 由于假期的原因,我必须在接下来的几周内通知您。
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    标记,

    好消息! 我与IC设计人员讨论了这个零件,在CPL上添加电阻器应该没有问题,正如您所建议的那样。

    添加与CPL门串联的电阻器的唯一问题是100欧姆电阻器的压降。 对于较低的I_drive设置,这应该是合适的。 最大的影响是,当您以稍低的栅极驱动电压驱动外部高侧FET时,100欧姆电阻上的I*R电压降可能会影响它们的RDS(on)。

    也就是说,如果您看到系统的性能可以接受,您应该可以接受!