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https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/657488/drv8301-dead-time-behavior
您好，
我想知道在停机时间内，DRV8301上的MOSFET栅极驱动器输出处于什么状态。
在我记录的示波器图上，它似乎是一个漏极开路输出，请您确认一下吗？
谢谢你
此致
您好，Rick：
感谢您的回答。
我认为这是你在上面写的方式，但是当我试图理解示波器时，似乎VG信号在死机时间结束之前不会变为0伏。
因此，在短时间内(吨和日出时约为100ns)，高侧MOSFET和低侧MOSFET之间有一个直通式晶体管。
请参阅附件中的示波图。
通道1 (黄色)是高侧VG信号，通道2 (蓝色)是低侧VG信号。
我的解释：当VG (高侧MOS)变低时，bootstrap电容器(100nF)放电时间过长(约500ns)。
当VG (低侧MOS)变低时，我认为Rshunts上的滤波电容器(C64，C67，C70，1nF)过高，并造成长时间延迟，从而阻止电压快速下降。
另外，我认为我总是遇到这个问题，但在我使用R144/145，R147/148和R154/155的10欧姆门电阻值之前(请参阅附件中的抽取原理图)，因此射通持续时间非常低(大约10ns)。
现在，由于EMC的原因，我需要更高的栅极电阻值，例如82欧姆，所以通过持续时间较长，MOSFET会变得更热。
您认为我可以降低自举电容器和Rsunt滤波电容器的值吗？
e2e.ti.com/.../Attached_5F00_TI.docx
谢谢！ 此致
您好 ，Alexandre：
您是否尝试过通过MCU调整DTC电阻器或增加停机时间？
当增加栅极电阻时，驱动器可以在FET实际关闭之前将其解释为关闭。
