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[参考译文] drv8305：HS和LS栅极驱动控制设置，正确驱动MOSFET

admin
Guru**** 2361250 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8305
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/598077/drv8305-hs-and-ls-gate-drive-control-settings-driving-mosfets-correctly

部件号：DRV8305

你(们)好 我正在使用FOC ESC中的DRV8305驱动总栅电荷为80nC的MOSFET。 PWM频率为45kHz。 我有几个问题。

1. 据我所知，我需要2-3安培的峰值栅极驱动电流来有效地切换MOSFET，但DRV8305提供的最大电流为1安培。 在我的情况下，这可能会带来什么负面影响？ 我是否需要更改为栅极电荷较低的MOSFET？

2.我是否需要将寄存器中的HS和LS门控驱动控制设置更改为最大值？ 现在，我的ESC能够以50-60 mA的标准设置很好地驱动我的电机。

一些解释会很有帮助，文档中关于此主题的内容不多。

谢谢！

罗马

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    TI__Guru**** 2361250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好，Roman：

    1) 使用较低栅极驱动电流意味着MOSFET的回转速度比使用2-3安培峰值栅极驱动时慢。
    2) 这取决于MOSFET中的开关损耗以及您所选MOSFET的特定QD或Qmiller。

    我们实际上有一个应用说明，其中概述了如何根据MOSFET参数使用IDRIVE选择正确的源/汇电流。 我建议您查看以下文档，但如果您在查看此文档后仍有疑问，请告知我们：

    www.ti.com/.../slva714a.pdf
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    TI__Guru**** 2361250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Phil，谢谢。 这张便条向我解释了很多事情。 还有一个问题。 为什么我会选择一种转换率而不是另一种，不同应用中不同转换率的好处是什么。

    此致，
    罗马
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    TI__Guru**** 2361250 points
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    您好，Roman：

    使用不同的转换速率可以微调开关损耗与传导损耗，以及功率级设计中的振铃和EMI/EMC问题。

    如果您必须以较快的速度切换，当您打开或关闭MOSFET门时，它将“振铃”(也称为振荡)。  这可能会导致功率级中出现不必要的辐射/传导辐射，可能会产生类似耦合到相邻迹线之类的结果。

    如果您缓慢地将MOSFET栅极旋转，您将在"Miller Region"中花费更多时间为栅极充电，并为电子流过创建更大的通道(线性区域->活动区域)。

    您可以在下图中看到，在Miller区域期间，VDS电压从完全阻塞转换为导电，但在此期间ID是恒定的，这意味着设备在Miller区域开始时消耗大量功率(V * I)。  因此，您在这一点上花费的时间越多(慢速转换速率)，在切换过程中消耗的功率就越大。