[参考译文] DRV8320：如何确定最佳死区时间

Hirata-San、您好！

我将与团队协商、并力求在本周结束前提供回复。

此致、

Akshay

您好、Akshay-San、

DRV8320具有智能栅极驱动功能、可监控 DRV8320的栅极-源极电压、从而了解切换的最佳时序。

根据我的理解、此功能是自动插入死区时间。

除了此功能、我们还可以添加具有4个选项的固定死区时间。

那么、如何确定最佳的固定死区时间？ 你有什么指南吗？

此致、

平田

Hirata-San、您好！

您可以更正器件具有自动死区时间插入功能以及不同的固定选项、供您选择。 特定的死区时间主要用于终端应用、因此它取决于您希望低侧 MOSFET 在高侧 MOSFET 之后开启的速度。 由于它是特定于使用的、因此我们没有固定的指南要遵循。

 

此致、

Akshay

Akshay San、

根据我的理解、每个人都希望缩短死区时间。 这是不是正确的吗？

DRV8320的默认值为100ns。

谁需要使用更长的死区时间、例如400ns？

还有谁可以使用更短的死区时间= 50ns？

此致、

平田

Hirata-San、您好！

我将咨询团队、并在本周结束前提供反馈。

此致、

Akshay

Hirata-San、您好！

 

感谢您的耐心等待。

 

50ns–如果您的系统稳健且您可以确保不会基于前置驱动器的输入发生击穿。 但短时间通常会导致击穿、因此默认值为100ns。 如果您的应用不适用于 BLDC 电机，并且 MOSFET 单独工作，则击穿不是问题，因此50ns 应该可以正常工作

 

400ns–较长的死区时间将降低击穿的可能性。 但是、高死区时间会降低电机电压、如果您需要高电机电压、可能不是理想的选择。 但这取决于您的特定应用。 对于希望减少击穿机会且不需要高电机电压要求的客户、我们建议延长死区时间。

 

如果您能提供器件应用的一些详细信息、我可以向我的团队索要更多信息。

 

此致、

Akshay

Akshay San、

我想知道握手和死区时间的关系。   

关于以下内容、握手过程已调整栅极驱动时间。 为什么需要进一步的 tdead？ 您提到了击穿、但握手过程在我的理解中已经检查了开关的正确时序。

握手过程如何确定正确的切换时间？

例如...

"VGS 监视器块"监视栅极电压、如果 VGS 变为1V、则 tdrive 终止。

剩余栅极电荷(=1V)应在死区期间移除。

如果这是真的、我明白了。   

在这种情况下、指南行可能如下所示。

"QG @ VGS=1V"/IHOLD << tdead

我想知道这些信息。

谢谢。

此致、

平田

Hirata-San、您好！

 

感谢您的耐心等待。

我们使用 VGS = 2V 的内部电压进行握手、并确定何时打开 MOSFET、以便高侧和低侧不会同时打开、还会实施闭环死区时间计时器以确保 MOSFET 处于开启状态 根据所选的死区时间设置。

 

您可以选择死区时间、以便在 tDEAD 设置期间移除任何栅极电荷。 我们在 TDRIVE 持续时间内应用 IDRIVE、然后实施简单的 IHOLD、使 MOSFET 保持该状态、在此期间(tDEAD)消除剩余的栅极电荷。

 

请参阅下图，其中说明了上述原则。

此致、

Akshay

您好、Akshay-San、

感谢您的回答。 我可以确认吗？  下面的理解是否正确？

小部分
Phase1.
当栅极驱动器从 FET 的栅极灌入栅极电荷以关闭时、"VGS 监视器块"监视 VGS 电压、如果 VGS 变为2V、则驱动持续时间终止。  这意味着该阶段1持续时间可能短于 tdrive 设置。 例如、如果 VGS 电压在启动关断过程后变为2V 600ns、则即使 tdrive 设置为1000ns、该阶段1也将在此600ns 计时结束。  在该阶段1中、栅极电荷会以 IDRIVE 设置的幅度进行启动。

Phase2.
剩余栅极电压(=2V)应 至少在 死区期间降至 FET 阈值电压。  在此期间、栅极电荷会由 IHOLD 进行启动。
小部分

此外、关于以下注释、闭环死区时间计时器意味着 tdead？ 我认为 tdead 没有任何反馈环路、因此我认为它是开环。 我认为下面的评论是正确的。 是这样吗？  

"但  还实施了开环死区时间计时器(=tdead)、以确保 MOSFET  根据所选的死区时间设置关闭。"

[~ userid="53652" URL"/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forume/1123102/drv8320-how to determine the best－dead-time/4171084#4171084"]我们使用内部电压 VGS = 2V 来握手、并确保在高侧计时器开启时不会同时关闭、以确保在高侧计时器 MOSFET 基于所选的死区时间设置。[/quot]

感谢您的支持。

此致、

平田

您好、 Akshay-San、

很抱歉耽误你的回答。 我有一些暑假

非常感谢您的回答 、现在我很清楚。

感谢您的支持！！

此致、

平田