This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] DRV8305-Q1:问题

Guru**** 1135610 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8305, DRV8305-Q1, DRV8305-Q1EVM, LAUNCHXL-F280049C
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1015671/drv8305-q1-questions

器件型号:DRV8305-Q1
主题中讨论的其他部件:DRV8305、、 LAUNCHXL-F280049C

1. VCPH 电荷泵

客户想 知道 三倍频器模式和双倍模式下"PVDD、VCPH、CP1L、CP1H、CP2L、CP2H"的时序图。

他们想知道如何生成 PVDD+10V。

2.VVCPH_OVLO

应该是什么样的情况、VCPH 会超过14V。

3.VVCPH_UVLO2、VVCP_LSD_UVLO2

应该是哪种情况、VCPH、VCP UVLO 工作。

EN_GATE 和 nFAULT

当 EN_GATE 始终为低电平时、请告知我们 nFAULT 引脚在这种情况下的行为。

IDRIVE 的变化

请告诉我们 IDRIVEP_HS、IDRIVEN_HS、IDRIVEP_LS、IDRIVEN_LS 的变化。

6.VDS_OCP
请告诉我们 tBLANK、tVDS 的变化。

7.VDRAIN 引脚

请告诉我们 VDRAIN 引脚的灌电流大小。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Kura-San、您好!

    团队今天在美国独立日假期外出。 他们很快就会回来!

    谢谢、

    Matt

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kura、

    我将在今天结束前向您提供这些回复。  

    谢谢、

    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

     DRV8305集成 了一个三倍频电荷泵、而不是许多具有加倍器电荷泵的器件、 这意味着该器件可在低至4.4V 的电压下运行、因为电荷泵飞跨电容器(CP1、CP2)最多可生成3倍的最小电压(4.4V*3 = 13.2V)、而电荷泵控制器将 VCPH 调节至 PVDD + 10V、以在 HS MOSFET 上生成10V VGS。 集成的10V LDO 用于在 LS MOSFET 上生成10V VGS。  

    从4.4-18V、电荷泵用作三倍频器、超过18V 时、它用作倍频器、以实现更好的效率。  

    VCPH_OVLO 设置为14V、因为 PVDD 和 VCPH 之间有一个额定电压为15V 的内部 ESD 二极管 如果 VCPH 相对于 PVDD 超过15V、该二极管将会熔断并在 PVDD 处引起大电压尖峰。 在这种情况下、VCPH_OVLO 为此设置为14V。  

    VCPH_UVLO2 和  VCP_LSD_UVLO2设置为规格部分中的值、专门用于防止 MOSFET 未完全导通而产生的较低电压。 如果从 VCPH 和 VCP_LSD 生成的栅极电压不够高、无法在 VGS=10V 时打开 MSOFET、则表示发生了异常情况、因此器件将生成故障。  

    4、当 EN_GATE =低电平时 、器件应处于待机状态、nFAULT 应保持高电平。 如果出现警告、nFAULT 将以56us 的高电平和低电平进行脉冲、如果发生故障、nFAULT 将变为低电平。 此 ppst 可能会有所帮助: https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/603086/drv8305-nfault-at-startup-of-drv8305

    5. IDRIVE 可能会根据 PVDD、温度和工艺变化而变化。 更重要的是、确定 MOSFET 的开关方式并分析 VGS 和 VDS 的转换、并确保开关时间不会太短、以避免 dV/dt 耦合、振铃或击穿电流等问题。 我们始终建议客户在切换至更高设置之前、先在较低的 IDRIVE 设置下进行初始评估。  

    6.根据在低温和高温下的内部测试和特性数据、T_blank 和 t_Vds 应保持一致。  

    VDRAIN 的最大灌电流为2mA。 我们建议在 VDRAIN 引脚前放置100 Ω 串联电阻器。

    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Aaron - San

    感谢你的答复。

    我们的客户还有其他问题。 请检查以下各项。

    2-2),3-2)

    我理解实现过压保护和欠压保护功能的"目的"、但我想知道它在哪种"情况"下工作。 P VDD 的 VCPH 超过15V 的情况有哪些?

    同样、VCPH_UVLO2和 VCP_LSD_UVLO2以下的情况是什么?  例如,假设电荷泵飞跨冷凝器开路故障...

    5-2)

    他们充分意识到 FET 开关特性的重要性。
    由于 IC 的栅极电流输出对开关特性有很大影响、如果存在实际的变化测量值、您能否提供该值?
    如果您能够提供具有最大值、最小值和中间设置值的3种模式的数据、我们将不胜感激。

    6-2)

    您能否提供任何变化数据(实际测量值)?

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    2-2、3-2)


    稳压器在稳压器或总线电压(VCPH、VCP_LSD、PVDD 等)上可能会由于各种原因而发生"泵送"或"应力"。

    过压

    在 HS 和 LS 栅极上灌入和拉出电流时、MOSFET 栅极具有来自 PCB 的输入电容和寄生电容。 如果 IDRIVE 灌电流无法在  有源下拉期间"释放"栅极上的所有电荷、则电荷将被泵回稳压器、并可能导致 VCPH 或 VCP_LSD 发生"电压泵送"、其中电压大于预期的~10V。 我们使用过压保护来确保:

    -不违反 VCP_LSD 的最大额定电压(~20V)

    - VCPH 至 PVDD 之间的电压不超过~15V、因为存在 ESD 二极管、如果 VCPH 上存在过压、该二极管会烧断并导致电源电流大幅增加

    请注意、如果电机用作发电机、则 VCPH 上也会发生过压、SHx 到 VCPH 的先睹为快也会导致这种情况(请参阅下文)。  

    欠压

    通常、如果 HS 和 LS 栅极的 VGS 小于~4.5V、 那么、这将不足以打开外部 MOSFET、我们会监控欠压事件、以便栅极驱动  器关闭并在系统无法正确切换 MOSFET 之前指示故障情况。  

    如果 VM-VCP 或 VCP_LSD-GND 的推荐旁路电容器和驱动器 IC 引脚之间的电路中存在电感、也会发生欠压。 应将电容器尽可能放置在器件上、并且它们需要在额定电容下工作。 如果这些值不正确、额定电压不够高或远离器件放置、则电容器的电容可能小于预期电容的1/2、并导致稳压器/电荷泵电路无法正常工作。 例如、如果 VM-VCP 电容器小于额定电容、则可能不会用于存储 CP 生成的电荷泵电压、并且随着时间的推移、电荷泵电压会下降到电势 VCPH_UVLO 的点。  

    5-2)  

    请参阅此 E2E 常见问题解答、了解如何选择最佳 IDRIVE 设置及其重要性: https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/796378/faq-selecting-the-best-idrive-setting-and-why-this-is-essential

    6-2)  

    变化将随温度和工艺变化而变化。

    HS IDRIVE:0.45 x 典型值(最小值)、2.3 x 典型值(最大值)

    LS IDRIVE: 0.45 x  典型值 (最小值)、2.3 x 典型值(最大值)

    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Aaron - San

    感谢你的答复。

    您能否提供以下的任何变体数据(实际测量值)?

    tBLANK

    tVDS

    VDS_TRIP

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    我今天将不在办公室、但我可以在下周二回来查看此信息时与团队联系。  


    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    我们在实验中为每个测试捕获的所有数据都处于数据表中列出的范围内。 这些参数测试是在温度和电压范围内完成的、因此对于该器件、温度范围为-40C 至125C。 至于我们在实验室中实际收集的数据、我们无法分享这些数据、只有确保测量的值在 DS 范围内。  

    此致、

    Michael

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    它们考虑使用 DRV8305NEPHPRQ1。

    此器件温度范围为-40C 至150C。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    Michael 共享的信息是否足够、或者您是否需要进一步的帮助?

    谢谢、

    Matt

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Matt - San

    感谢你的答复。

    请向我们提供有关以下内容的建议。

    更多信息

    根据数据表的7.3.5.2和7.3.8.2、当 Vgs 由于握手而降至低于特定值时、似乎插入了寄存器地址0x7的 DEAD_TIME 位设置的死区时间。
    插入此死区时间后、Vgs 的值是多少?
    它们还会在 MCU 上设置死区时间、但希望优化前置驱动器设置。

    介绍欠压

    下面的说明中有"VM-VCP"一词。

    VM 是哪个引脚?  

    ----

    如果 VM-VCP 或 VCP_LSD-GND 的推荐旁路电容器和驱动器 IC 引脚之间的电路中存在电感、也会发生欠压。 应将电容器尽可能放置在器件上、并且它们需要在额定电容下工作。 如果这些值不正确、额定电压不够高或远离器件放置、则电容器的电容可能小于预期电容的1/2、并导致稳压器/电荷泵电路无法正常工作。 例如,如果 VM-VCP 电容器小于额定电容,则可能不能用于存储 CP 生成的电荷泵电压,并且随着时间的推移,电荷泵电压会下降到电势 VCPH_UVLO 的点。  

    ----

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    一旦 DRV 器件发现栅极电压小于2V、GHx 和 GLx 的死区时间就会开始-此时 DRV8305-Q1将栅极视为"关断"。 死区时间周期结束后、另一个 MOSFET 将开始导通。  

    VM 是 PVDD 在 DRV8305-Q1中、较旧的器件将电机电压电源称为"PVDD"、较新的器件将其称为"VM"。  

    谢谢、

    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Aaron - San

    感谢你的答复。

    e2e.ti.com/.../Figure9.xlsx

    请告知我们 GHx-SHx 和 GLx-SLx 之间的内部电阻值。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kura、

    这应该是150千欧、我今天将确认。  

    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Aaron - San

    感谢你的答复。

    您 确认了吗?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    在 EVM 上、我测量 GHx-SHx 之间~275k Ω 的电阻、并测量 GLx-SNx 之间~157k Ω 的电阻。  

    我仍在确认设计、将在今天或星期一结束前收到回复。

    谢谢、

    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Aaron - San

    感谢你的答复。

     您是否对 GHx-SHX 和 GLx-SLX 之间的电阻有任何更新 

    我们还收到了客户的其他问题。

    DRV8305-Q1:PVDD-VDRAIN 的绝对最大额定值

    根据以上 E2E 帖子、 PVDD-VDRAIN 应处于 "-10V <(电源和 VDRAIN (PVDD-VDRAIN)之间的电压差)<10V"范围内。

    客户认为 数据表 P50中的图24电路配置 可能 会超过此值、在 PVDD 和 VDRAIN 之间插入二极管是否可以解决此问题?

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    感谢您的友好提醒。 设计尚未跟进、因此只发送提醒。 他今天是 ooo,但我预计在星期一之前会收到答复。

    VDRAIN -> PVDD 中的二极管解决了发电机模式通过外部 HS MOSFET 的体二极管和 D (VDRAIN_PVDD)二极管(而不是数据表中图24的 D1、D2和 D4)将电流从 SHx 拉至 PVDD 的问题。

    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、  

    我今天检查了设计并确认 DRV8305-Q1在 HS 栅极至源极之间具有480千欧姆的内部电阻、在 LS 栅极至源极之间具有360千欧的内部电阻。  

    我需要仅使用器件或工作台板进行重新确认、因为 EVM 可能引入的并联阻抗低于通过设计确认的预期值。 我们将在数据表中进行更新。  

    谢谢、

    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Aaron - San

    感谢您的支持。

    请让我们了解 有关 DRV8305-Q1的更多信息:PVDD-VDRAIN 的绝对最大额定值

    如果您在 SW_VDRAIN 断开的情况下将电池连接到电路、则 P VDD 和 VDRAIN 之间的电压将为12V、超过10V。

    因此、他们认为数据表图24和  "-10V"<(电源和 VDRAIN (PVDD-VDRAIN)之间的电压差)<10V"。  不一致。

    请向我们提供您的建议。

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    我将在本周结束前确认并告知您。  

    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Aaron - San

    感谢你的答复。

    是否有任何更新信息?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Kura-San、您好!

    让我与 Aaron 确认、明天回来

    谢谢、

    Matt

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    我相信图片中所示的情况是、如果有一个电源截止开关 SW_VDRAIN、它应该在运行期间保持闭合状态、以便 VDRAIN 始终遵循 PVDD。 假设此开关正常闭合。 如果 SW_VDRAIN 处于开路状态、则电池仍处于连接状态且处于发生器模式(SHx 大幅增加、或比 PVDD 高很多伏)、因此二极管 D_VDRAIN_PVDD 可用于将电流流流流回电源、而不是在内部通过体二极管和 ESD 二极管(否则会发生故障)。  

    无论如何、在开关正常关闭的情况下、电池应始终保持连接、从而使 PVDD = VDRAIN。  当开关打开时、不应连接电池、否则您将超出 PVDD-VDRAIN 电压差的-10至10V 最大额定值。  

    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Aaron - San

    感谢您的支持。

    我们收到了客户的其他问题。

    PVDD-VDRAIN 约为±10V
    当 V (P VDD)-V (VDRAIN)<-10V 时、由于在发生器模式下、IC 内部的二极管会产生电流路径、因此预计会出现问题。
    但是、当 V (P VDD)-V (VDRAIN)>+ 10V 时
    他们不知道问题是什么。

    请指定内部电路并解释当它超过+10V 时会发生什么情况。
    (顺便说一下、在 DRV8305-Q1的数据表中找不到额定值。)

    请给我们一些建议

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Kura-San、您好!

    当 PVDD 大于 VDRAIN 时、VCP 电压将远大于 VDRAIN + 10V。  这会导致在尝试打开高侧 MOSFET 时通过 VGS 钳位(即、请参阅数据表中的图9)消耗过多电流。

    例如、如果 PVDD 为22V、VDRAIN 为12V、则 VCPH 的标称值为32V。 当尝试打开高侧 MOSFET 时、电荷泵电压为32V、但 MOSFET 源极将仅为12V (VDRAIN)。 DRV8305内部的栅源钳位将限制电压以保护外部 MOSFET 栅极、但在打开高侧 MOSFET 时会消耗额外的功率。

    这将导致更多的功率耗散、如果电压差非常高、可能会导致损坏。

    谢谢、

    Matt

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Matt - San

    感谢您的支持。

    PVDD 为 VDRAIN+10V 或更高时、如果 EN_GATE 设置为低电平、是否存在任何问题?

    电荷泵通过将 EN_GATE 设置为高电平来运行。
    因此、客户认为他们可以通过将 EN_GATE 设置为 Lo 来避免您的答案中出现这种现象。

    请向我们提供您的建议。

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Kura-San、您好!

    如果驱动器处于睡眠模式、通过将 EN_GATE 置为低电平来避免此问题。

    谢谢、

    Matt

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Matt - San

    感谢您的支持。

    我们收到了客户的其他问题。

    PVDD 为 VDRAIN + 10V 或更高时、如果 EN_GATE =高电平但 INH_x =低电平、是否存在任何问题?

    当 INH_x = LO 时、GH_x 和 SH_x 之间的电势差为0V、因此他们认为可以避免这个问题。

    请向我们提供您的建议。

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、  

    这也应该通过使 INH_x =低电平来避免这一问题、因为高侧 MOSFET 的 VGS 电压在该状态下= 0V。  

    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Aaron - San

    感谢您的支持。

    我们收到了客户的其他问题。

    PVDD 的低电压
    PVDD 下降并恢复而不低于 PVDD_UVLO1时(请参阅下图)

    e2e.ti.com/.../case.xlsx
    IC 是否会像 Case1一样返回? 还是像 CASE2一样仍然停止?
    这是一个故障类型错误、因此他们希望它是 CASE2。

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    PVDD < PVDD_UVLO2时、nFAULT 应锁定为低电平(案例2)。 您将需要在 EN_GATE 上发出复位脉冲或设置 CLR_FLTS 位以清除故障并使其再次变为高电平。 我已在 DRV8305-Q1EVM 上确认了这一点。  

    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Kura-San、您好!

    您是否需要有关此主题的任何其他帮助?

    谢谢、

    Matt

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Matt - San

    感谢您的支持。

    我们还收到了客户的其他问题。

    请参阅随附的。

    e2e.ti.com/.../expected-waveform.xlsx

    关于死区时间的变化:
    死区时间是在握手之后插入 td_min + tdtp 的时间。
    TDtp 的 tdtp 有何变化?
    tdtp 的变化是什么?
    如果无法提供保证值、则可以使用测量值、设计值或理论值。

    关于死区时间内 INHx 下降沿被输入时的运行方式:
    插入死区时间时、计时器在他们猜的 IC 内工作。

    如果 INHx 的下降沿在死区时间内被输入、预计将执行以下的 CASSE1或 CASSE2操作。
    哪种情况适用? 或者您是否执行其他操作?
    案例1:
    定时器递增计数至设定值并立即重新启动。
    案例2:
    输入 INHx 后、定时器立即重新启动。

    在这种情况下、预计上栅极(GHx)不会输出。

    请告诉我们。

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    这些是好问题、我将不得不与设计团队协商、以确定死区时间计时器的"工作原理"、因为会发生很多内部握手。 我猜是占空比大于91%时的情况2、这意味着死区时间计时器将 INHx 下降沿优先于完成该周期的死区时间计时器。

    我也不希望定时器有任何变化、但我也会询问如果已知、会发生多少变化。 我假设系统时钟调优的任何变化 都将决定死区时间计时器的任何变化。

    最后、我想指出死区时间发生 了两次:  

    1)介于 GLx 变为低电平和 GHx 变为高电平之间

    2)介于 GHx 变为低电平和 GLx 变为高电平之间

    对于62.5us 的 PWM 周期、这意味着预期的死区时间为2*(td_min + tdtp)= 2*(5280ns+280ns)= 11.12us。 这意味着在死区时间插入影响 GHx 输出之前、16kHz 达到的最大占空比为82.2%。

    您的应用所需的最小占空比分辨率是多少? 我将根据该规格计算 DT 设置。  

    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Aaron - San

    感谢您的支持。

    我从客户那里得到了以下回答。  

    >您的应用所需的最小占空比分辨率是多少?  

    -->由于 MCU 以20MHz 运行,因此分辨率将为50ns。 如果您需要任何其他信息、请告知我们。

    客户询问您的意见"我会根据此规格计算 DT 设置。"

    我们的理解是,您将准备以下问题的答案。(我们的理解是否正确?)

    此问题是由以下事实引起的:前置驱动器设置值仅为典型值...

    关于死区时间的变化:
    死区时间是在握手之后插入 td_min + tdtp 的时间。
    TDtp 的 tdtp 有何变化?
    tdtp 的变化是什么?
    如果无法提供保证值、则可以使用测量值、设计值或理论值。

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    我查看了 t_DTP 的特性数据、发现 t_DTP 根据死区时间设置、VM 和温度而变化。

    您能否分享要使用的死区时间设置、环境温度和应用的 VM、以便我总结死区时间(t_DTP)的变化?

    我在设计中确认 TD_min 的变化  

    谢谢、

    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

     Aaron - San

    使用 DEAD_TIME 设置

    ->客户认为0x7寄存器设置为 3.52us (B110)或5.28us (B111)。

    环境温度

    -> IC 周围的温度为-40至+125C

    应用程序的 VM

    ->6V 至18V

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    对于 DEAD_TIME = B110:

     VM = 6-18V 时的死区时间变化为3.739us (-41C)至3.770us (123C)


    对于 DEAD_TIME = B111:

    VM = 6-18V 时的死区时间变化为5.487us (-41C)至5.533us (123C)

    此死区时间设置包括最小死区时间(280ns)。 仍在等待确认、根据栅极驱动状态机的握手情况、这是否变化。  

    谢谢、

    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Aaron - San

    感谢您的回答。

    似乎答案仅在 Min 侧、因此客户希望您也回答 Max 侧的变化。

    如果您可以在 Max Side 提供变体信息、请告知我们。  

    根据栅极驱动状态机的运行情况、电机死区时间引起的静态特性、

    它对动态特性的影响不大、因此他们希望加以确认。

    此外、您还在考虑栅极驱动状态机的运行、但是否可以认为它的运行方式与所连接的 Excel 中的 CASE3类似?

    e2e.ti.com/.../waveform.xlsx

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    我已经与设计团队交谈过、他们在 DRV8305-Q1中确认死区时间实现是数字的、因此最大变化量是 TD_min 和 tdtp 在整个温度和过程变化范围内的典型规格的+/-10%、而不是电机电压。  

    因此、TD_MIN 的变化幅度可能为+/-28ns、而 tdtp 的变化 幅度可能高达+/-528ns (当 DEAD_TIME = 5280ns 时)。  

    我需要与设计此部分死区时间计时器的设计人员确认优先级的工作方式、以便无法实现案例3。 请允许我 在确认死区时间计时器行为后提供后续操作。  

    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    设计人员说、收集这些数据可能需要一些时间。 让我明天对 DRV8305-Q1EVM 板运行基准测试、以查看 GHx/GLx 发生了什么输出、以确认是发生了案例1/case 2还是发生了案例3。  

    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Aaron - San

    感谢您的持续支持。

    我们从他们那里得到了一个新问题。


    关于 EN_GATE 和 nFAULT:

    假设 nFAULT 相对于 P VDD 电压和 EN_GATE 的行为为下面的模式 A、B 和 C。 此假设是否正确?

    e2e.ti.com/.../PVDD-EN_5F00_GATE-nFAULT.xlsx

    如果他们的假设不正确、请告诉我们 nFAULT 的正确行为。

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    只要 nFAULT 在 EN_GATE =高电平时变为高电平、这些假设就应该是正确的。 该器件需要1ms 才能完全导通栅极驱动电源、但如果 nFAULT 高于 PVDD_UVLO2、我不认为 nFAULT 应该切换。

    昨天我没有时间检查实验室、让我运行昨天和今天的测试、并与您分享有关波形的数据。

    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    今天、我在实验室中捕获了这些捕获值、类似于 PVDD 和 EN_GATE 的时序。 我尝试确保 PVDD 未降至 PVDD_UVLO1以下

    模式 A:  


    模式 B:


    模式 C:


    至于捕获死区时间= 5280ns 的 GH_A 和 GL_A、我必须在周一重新运行测试、以便我可以使用 EVM 通过 SPI 对其进行写入。  

    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Aaron - San

    感谢您的持续支持。

    请告诉我波形和死区时间信息是否有任何更新。

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    我和我的经理讨论了波形、他认为可能会发生情况3、因为 DRV8305会将输入优先于死区时间计时器、因此死区时间计时器会重新启动。 由于 GHx 永远不会变为高电平、它将忽略输出 GHx、因为此时 INHx 信号已经是低电平。



    为了在工作台上进行确认、我的计划是将 BOOSTXL-DRV8305与 LAUNCHXL-F280049C 连接到可提供 PWM 信号和 SPI 接口以设置死区时间的定制软件。 我订购了一个 BOOSTXL-DRV8305、因为我在实验室中找不到一个 BOOSTXL-DRV8305。 收到后、我将自行设置死区时间设置、并运行上面所示的确切测试用例、以确认这是否是行为。 如果可以、这将需要大约一周的时间。

    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、  

    我测试了波形以确认 DRV8305的行为、并尝试了解死区时间计时器的行为。  

    设置 DEAD_TIME = 5280ns、PWM FREQ = 16kHz、更改 INha/INLA 占空比
    CH 1 = Inha
    CH 2 = INLA
    CH 3 = GHA
    CH 4 = GLA

    HS/LS = 15%/85%- 当输入发生变化时、死区时间计时器结束。 不确定 DT 定时器是停止还是重新启动。 我们看到~5560ns 的死区时间(DT + DT_MIN)

    HS/LS = 9%/91%-由于死区时间> PWM "导通"时间、VGSH 不导通。 死区时间定时器在 INHx 下降沿停止或继续。  

    如果死区时间计时器停止(情况3)、那么我们应该看到 INHx 在 INLX =下降沿死区时间计时器周期到期(5560ns)后导致 GHx 输出。 确认这一点的最佳方法是大幅增加 PWM 频率(~150kHz)、并在50%时切换以查看从 INLx 下降沿开始5560ns 后的 GHx 行为。 如果在 GHx 上看不到任何输出、那么我们知道死区时间计时器会重新启动(情况2)、因为"on"周期小于死区时间。

    上面的测试用例显示出现了用例2的行为。 在 INLA 具有下降边沿后、死区时间计时器启动、因此 GHA 从不输出。  

    在 Inha 下降沿之后、死区计时器重新启动、当 Inha 再次变为高电平时、我们仍然看不到 GHA 输出、因为死区时间计时器已重新启动。  


    谢谢、
    Aaron

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Aaron - San

    感谢您的支持。

    我们收到了客户的新问题。

    e2e.ti.com/.../waveforms.xlsx

    问题1:

    关于 EN_GATE 的脉冲输入:

    如果出现问题并且 nFAULT 被锁存为低电平、EN_GATE 将通过输入低电平脉冲进行复位、但如果它仍然无法恢复、他们会想到这一点

    再次输入低电平脉冲。

    在这种情况下、脉冲将类似于所附脉冲(请参阅"nFAULT&EN_GATE "表)、但是否存在任何问题?

    可以向 EN_GATE 输入一个 Hi = 2ms、Lo = 2ms 的脉冲吗?

    问题2:

    关于 tBLANK 的起点:

    如图所示、当输入 INH 和 INL 时、tBLANK 定时器从何处开始(请参阅"INHx_INLx_GHx_GLx"表)?

    它们希望从 A、B 或 C 中的一个开始

    此致、

    库拉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    我将在明天的工作时间内提供更正式的回复。  

    谢谢、
    Aaron