你好
我在使用 DRV8353时遇到问题。
当我以大约30安培的电流驱动电机时、DRV8353 显示 VDS_HA 故障且电机关闭。
以30安培的电流持续5分钟。 我们的驱动器板过热。 我更换了新的 DRV。
我将 IDRIVE 值从600mA 降至300mA、然后重试。 新的 DRV8353又烧了一次。
现在、我可以在没有 A 相高侧的情况下驱动电机、但所有相位的波形 都非常糟糕。
我们可以共享多个示波器屏幕截图。 这些数字可能不是连续的。








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我在使用 DRV8353时遇到问题。
当我以大约30安培的电流驱动电机时、DRV8353 显示 VDS_HA 故障且电机关闭。
以30安培的电流持续5分钟。 我们的驱动器板过热。 我更换了新的 DRV。
我将 IDRIVE 值从600mA 降至300mA、然后重试。 新的 DRV8353又烧了一次。
现在、我可以在没有 A 相高侧的情况下驱动电机、但所有相位的波形 都非常糟糕。
我们可以共享多个示波器屏幕截图。 这些数字可能不是连续的。








您好、Ticola、
我想提出一些初步的问题,以便更好地理解这个问题。
此致、
Akshay
您好!
首先、我们使用 DRV 1xPWM 模式、因此 Inha 引脚用于实现基准 PWM。
我已经经历 过 Inha、GHA、SHA 和 nFAULT 的各种波形。 第一个图形序列包括无误差运行(占空比和相电流较低)。另一个图形序列包括在发生故障时运行。
电机在这两种情况下都在运行。 但是、扭矩纹波和声音要多得多。
黄色:Inha (参考 PWM 信号)
绿色:nFAULT
蓝色:SHA
粉色:GHA
所有照片都是分步缩放的。
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无错误






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(三
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有错误





嗨、Ticola、
从波形中、似乎检测到某种过流、这会导致栅极驱动器输出关断。 很可能是因为 MOSFET 的开关速度非常快。 高侧栅极的快速开关可能会导致 dv/dt 耦合到低侧 MOSFET、如下图所示。 这可能会打开低侧 MOSFET 并导致击穿情况。 从而导致过流事件。

您能告诉我们您使用的 MOSFET 是什么吗? 然后、我们可以找到最好的 IDRIVE 设置、因为开关速率由 IDRIVE 控制。
此致、
Akshay
嗨、Ticola、
我们通常建议客户具有200ns 的上升时间和100ns 的下降时间、以实现快速开关。
基于45nC 的 Qgd 和200ns 的上升时间、我们得到225mA 的 IDRIVE。 我们建议尝试较低的 IDRIVE 设置。
务必确保即使在 IDRIVE 设置较低的情况下、由于电路板布局或其他问题、我们也不会将 SHx 耦合到 GLx。 如果存在耦合、我们将导致低侧 MOSFET 导通并导致击穿。
为了检查是否发生这种情况、我们建议采用 GHx、SHx、GLx 和 nFAULT 的波形。
此致、
Akshay