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[参考译文] DRV8353:A 高侧 MOSFET 上的 VDS_HA 过流故障已存在两次、DRV 8353已烧坏

Guru**** 2487425 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8353

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1124255/drv8353-vds_ha-overcurrent-fault-on-the-a-high-side-mosfet-has-existed-twice-and-drv-8353-has-burned

器件型号:DRV8353

你好  

我在使用 DRV8353时遇到问题。  

当我以大约30安培的电流驱动电机时、DRV8353 显示 VDS_HA 故障且电机关闭。

以30安培的电流持续5分钟。 我们的驱动器板过热。 我更换了新的 DRV。

我将 IDRIVE 值从600mA 降至300mA、然后重试。  新的 DRV8353又烧了一次。  

现在、我可以在没有 A 相高侧的情况下驱动电机、但所有相位的波形 都非常糟糕。

我们可以共享多个示波器屏幕截图。 这些数字可能不是连续的。  

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    嗨、Ticola、

    感谢您将问题发布到 E2E。

    我将与团队协商、并计划在下周的星期四之前提供回复。

    此致、

    Akshay

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    您好、Ticola、

     

    我想提出一些初步的问题,以便更好地理解这个问题。

     

    此致、
    Akshay

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    您好、Akshay、

    我们无法共享原理图。 我根据您发送的文档计算了 IDRIVE 值。 Aaron Barrera 也建议使用较低的 IDRIVE 值。  

    过流方法是自动重试。

    我将准备 相关引脚、以便能够进行测量并与您分享。

    感谢你的帮助

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    您好!  

    首先、我们使用 DRV 1xPWM 模式、因此 Inha 引脚用于实现基准 PWM。  

    我已经经历 过 Inha、GHA、SHA 和 nFAULT 的各种波形。 第一个图形序列包括无误差运行(占空比和相电流较低)。另一个图形序列包括在发生故障时运行。  

    电机在这两种情况下都在运行。 但是、扭矩纹波和声音要多得多。

    黄色:Inha (参考 PWM 信号)

    绿色:nFAULT

    蓝色:SHA

    粉色:GHA

    所有照片都是分步缩放的。

    ----------------------------------------------------

    无错误

    ----------------------------------------------------

    (三

    ----------------------------------------------------

    有错误

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    嗨、Ticola、

    我将与团队协商、并打算在下周初之前提供反馈。

    此致、

    Akshay

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    嗨、Ticola、

     

    从波形中、似乎检测到某种过流、这会导致栅极驱动器输出关断。 很可能是因为 MOSFET 的开关速度非常快。 高侧栅极的快速开关可能会导致 dv/dt 耦合到低侧 MOSFET、如下图所示。 这可能会打开低侧 MOSFET 并导致击穿情况。 从而导致过流事件。

    您能告诉我们您使用的 MOSFET 是什么吗? 然后、我们可以找到最好的 IDRIVE 设置、因为开关速率由 IDRIVE 控制。

     

    此致、

    Akshay

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    您好、Akshay、我无法分享 MOSFET 器件型号。 但是、您可以在下面获得一些规格。

    100V

    200A、

    n 单通道

    3.5m Ω Rds-on

    TR=97ns、  Tf=100ns、   Qgd=45nC。

    计算所需的 Idrive = 45nC/97ns = 464mA。

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    嗨、Ticola、

     

    我们通常建议客户具有200ns 的上升时间和100ns 的下降时间、以实现快速开关。

    基于45nC 的 Qgd 和200ns 的上升时间、我们得到225mA 的 IDRIVE。 我们建议尝试较低的 IDRIVE 设置。

     

    务必确保即使在 IDRIVE 设置较低的情况下、由于电路板布局或其他问题、我们也不会将 SHx 耦合到 GLx。 如果存在耦合、我们将导致低侧 MOSFET 导通并导致击穿。

     

    为了检查是否发生这种情况、我们建议采用 GHx、SHx、GLx 和 nFAULT 的波形。

     

    此致、

    Akshay

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    您好、Ticola、

    您是否需要更多帮助? 如果未解决、请标记为已解决。  

    谢谢、
    Aaron

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    您好、Ticola、  

    由于不活动而关闭主题-您能告诉我们问题是否已解决?  

    请告诉我们是否需要有关此问题的进一步支持。 谢谢  

    此致、  
    Andrew  

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    我们降低了 IDRIVE 参数。 现在没有问题。 不过、我们的实验仍在进行中。 如果我们成功达成解决方案、我将向您声明。