我希望使用 DRV8106作为高侧前置驱动器来驱动背对背 MOSFET (不带低侧半桥 MOSFET)、因为它提供集成式浮动电流感应、可编程驱动强度以及故障检测和报告(大多数高侧前置驱动器不具有此功能)。 TI 是否对此类配置有任何已知问题?
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