您好!
两个 DRV8703-Q 的高侧栅极和高侧源极的波形不同。
我想知道这样做的原因。
下面的波形是分别具有两个 DRV8703-Q 的 H 桥电路的测量死区时间。
高侧栅极为黄色、高侧源极的栅极为绿色。


在每个波形中、确认 MOSFET 关闭、因为高侧 N 沟道 MOSFET 的 Vgs 为0V。
但是,一个是平稳下降,另一个是急剧下降。
我想知道两个 DRV8703-Q 上的下降波形为何不同。
H 桥电路如下图所示。
波形的测量点是 Q4的栅极和源极。

两个 DRV8703-Q 的 TDEAD 和 IDRIVE 设置是相同的。
下图中的红色框是设置值。

此致、
