尊敬的
我的客户使用 DRV8714-Q1、现在有三 个设计问题:
1) 1) 是否需要在 DRV8714-Q1输出 端口和 MOS 之间进行串行连接? 为了保护 DRV8714-Q1 、同时在极端环境中向输出端口(GH1 GL2)支付巨大的电流
2) 2)当 GH1 MOS 和 GL2 MOS 处于导通状态且 电机短路?时、是否存在任何保护电路、电流流向 GND、电流传感器不工作
3)DRV8714-Q1 H 桥演示可参考?
提前感谢
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尊敬的
我的客户使用 DRV8714-Q1、现在有三 个设计问题:
1) 1) 是否需要在 DRV8714-Q1输出 端口和 MOS 之间进行串行连接? 为了保护 DRV8714-Q1 、同时在极端环境中向输出端口(GH1 GL2)支付巨大的电流
2) 2)当 GH1 MOS 和 GL2 MOS 处于导通状态且 电机短路?时、是否存在任何保护电路、电流流向 GND、电流传感器不工作
3)DRV8714-Q1 H 桥演示可参考?
提前感谢
您好!
感谢您的提问。
不必须使用串行电阻器、但我建议使用0hom 电阻器、如下所示。 通常情况下、有些客户使用该寄存器进一步缩短上升时间(如果需要)。 这只是可选的。

2) 2) DRV8714-Q1具有 VDS 过流保护。 它测量外部 FET 的 VDS 电压、然后在 VDS 电压高于编程阈值时关闭 FET。
3) 3) DRV871-Q1 EVM (评估模块)。

谢谢、
此致
Shinya Morita