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[参考译文] DRV8706-Q1：低侧 FET 在栅极电流为6mA 时关闭

admin
Guru**** 2484615 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1137760/drv8706-q1-ls-fet-turn-off-at-6ma-gate-current

器件型号：DRV8706-Q1

TI 团队、

代表客户提出问题。

我刚刚注意到 DRV870x 芯片样片出现了一些意外行为、我恳请您提供支持、以确定根本原因。

 

问题在于、如果栅极电流设置为<6mA、低侧 MOS FET 的关断速度会非常快、因此在这种情况下实际上没有压摆率控制。

有关更多详细信息、请参阅以下内容。

电流行为

Behaviour when Igate is higher than 8mA

电流行为

Behaviour when Igate is smaller than 8mA.

 

我注意到这个问题：

- 这发生在 TI 官方评估板上。

-针对6mA 或更低的栅极电流设置、出现在 LS2 MOS FET 上。 为此、我设置以下控制寄存器：DRV_CTRL_1 = 01010101 (对于 HS FET)和 DRV_CTRL_2 = 01010101 (对于 HS FET)。

-也发生在 LS1 MOS FET 上、但对于3mA 或更低的栅极电流设置。

-出现在 DRV8705和 DRV8706上(LS2的阈值与 LS1的阈值分别为6mA 和3mA)；

-无论死区时间设置如何(我甚至测试了8us 的最长设置)、都会发生；

-无论负载阻抗如何(I 测试的负载在0.5–10欧姆之间)、都会发生。

 

假设：

  1. 假设行为是由某些控制注册表设置引起的、您能建议我应该更好地检查哪些设置吗？
  2. 您能建议我可以进行的其他测试/检查、以找出此行为的根本原因吗？
  • 0
    TI__Guru**** 2484615 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Piotr、

    我想"我很强"可能是造成这种现象的原因。 我会尝试更改 VGS_LVL 和 VGS_TDRV、看看它是否有用。

    首先、在 OUT_B 处具有正常波形上升时间的图片大约为400ns、这已经是很长的时间了。 我认为进一步扩大这一范围只会增加

    开关损耗。 我可能会尝试保持在100ns 左右、并将电压过冲保持在比第二张图片低一点的水平。

    此致、

    Grzegorz

  • 0
    TI__Guru**** 2484615 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Piotr、

    是否有以上建议的更新？

    此致、

    Ryan

  • 0
    TI__Guru**** 2484615 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    更改 VGS_LVL 设置不会带来任何改进。

     

    VGS_TDRV 设置为4us。 我测试了所有其他三个值、并且：

    -在8us 下、问题仍然存在、但对于较低的栅极电流设置：<4mA (而4us 设置下<8mA)。 因此，有了改进；

    －以2us 为限，该问题保持不变；

    -使用96us 时、栅极电压斜率会失真得更多(请参阅下面的示波器截图)。

     

    因此、遗憾的是、您的建议不能解决问题、而只是改善芯片行为。

     

    假设：

    1. 您能否解释一下您认为 I_Strong 电流可能是根本原因的机制？
    2. 您能告诉我们为什么 VGS_TDRV (96us)有一个非常不同的值。 我的意思是，如果有2、4和8个选择，第四个选择是1us 或16us，但不是96us。
    3. 您能建议更多调查、设置等吗？

       

    注意：我不知道它是否重要，但我提到我在测试期间使用的 MOS FET 在栅极和漏极之间具有1nF 的电容。

  • 0
    TI__Guru**** 2484615 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Piotr、

    1."您能解释一下您认为 I_Strong 电流可能是根本原因的机制吗？" -从顶部的第二幅图片可以看出、在 LS 栅极开始关闭后大约4us 左右(4us 长于 TDRV 设置的一半)+图7-8。 DRV8706数据表中的 TDRIVE 状态机。

    "对于8us、问题仍然存在、但对于较低的栅极电流设置：<4mA (而4us 设置的电流<8mA)"-这就证实了我的怀疑。

    2."您能告诉我们为什么 VGS_TDRV (96us)有一个非常不同的值。 我的意思是，如果有2、4和8个选择，第四个选择是1us 或16us，但不是96us。” 可能是一个错误，我认为 Ryan 应该能够确认。

    3."您能提出更多调查、设置等吗？" ——我不是自己，但我很确定是 I_Strong 导致电压斜率陡。

    您能否说出您为什么需要超过400ns 的开关时间(输出电压从10%变为90%或返回的时间)？

    此致、

    Grzegorz

  • 0
    TI__Guru**** 2484615 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    [引用 userid="274075" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1137760/drv8706-q1-ls-fet-turn-off-at-6ma-gate-current "]

    有关更多详细信息、请参阅以下内容。

    电流行为

    [/报价]

    我没有通过读取芯片寄存器来了解 VGS_LVL 和 TDRV 的影响、但通过快速查看示波器波形、我的问题是： 为什么从 G2H 变为低电平到 G2L 变为高电平的死区时间约为800ns、但从 G2L 变为低电平到 G2H 变为高电平的死区时间仅为400ns？ 为什么不为它们提供相同的死区时间值？

    Brian

  • 0
    TI__Guru**** 2484615 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Piotr、  

    很抱歉耽误您的时间、我们好像有点迷路了。  本周有几位团队成员外出、但我将尽力为其提供支持。

    此 E2E 帖子以以下方式描述了 TDRIVE：   TDRIVE 栅极驱动计时器可确保在 MOSFET 栅极短路或 MOSFET VGS 钳位意外导通等异常情况下、将流经智能栅极驱动器和 MOSFET 栅极的高峰值电流限制为固定持续时间"。 本质上、tDRIVE 是固定时间、可限制任何诸如短路之类的反常情况、以免对驱动器或电机造成潜在损坏。

    [引用 userid="424977" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1137760/drv8706-q1-ls-fet-turn-off-at-6ma-gate-current/4381247 #4381247"]2. "您能告诉我们为什么 VGS_TDRV (96us)有一个非常不同的值。 我的意思是，如果有2、4和8个选择，第四个选择是1us 或16us，但不是96us。” -可能是一个错误、我认为 Ryan 应该能够确认它。[/引述]

    我不知道为什么96us、同意它与1-4美元有很大不同。  根据以上解释、我想客户不 希望出现这种异常情况。  或者、它可能是我们希望兼容的竞争对手器件规格。  我认为这不是错误。 较大的值也可能是为了提供更多的 CSA_BLK 选择、因为它是 tDRV 的百分比。   

    [引用 userid="274075" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1137760/drv8706-q1-ls-fet-turn-off-at-6ma-gate-current/4381082 #4381082"]您是否可以建议更多调查、设置等？

     您可以通过更改 IDRVP 来尝试调整 ISTRONG 吗？ 也可以尝试调整 VGS_TDEAD、尽管不太可能在这里产生影响。

    此致、

    Jacob