[参考译文] DRV8711：关于前置驱动器故障

您好、Higa、

我认为这种噪声可能是 PDF 故障的原因。 最近有一个线程、其中的链接很好地描述了这个问题

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1129643/drv8711-predriver-fault-in-indexer-mode

在我的案例中、56 Ω LS 栅极电阻器已解决了这个问题。

此致、

Grzegorz

你好，Pablo-San

感谢你的建议。

我向我的客户提出了您的建议、并获得了反馈。

他们评估了30Ω Ω 和120Ω Ω 之间的不同栅极电阻。 然而，这一情况并没有改善。

此外、他们还进行了以下检查：

-增加 tDRIVE：2us ->没有改进  

-IDRIVEEP=50mA ，IDRIVEN=100mA ->无改进

-选中 Q_G ->确定

TBLANK：2us

TOFF：50.5us

DTIME：450ns

PWM 频率：18.7kHz

Q<267nF

FET：CSD18543Q3A

- 当负载转矩增加时、会出现 PDF 误差。

您能给我建议吗？

此致、

千兆

您好、Higa-San、

下面是我为我的驱动程序使用的设置、它们几乎没有帮助的机会、但可能值得尝试。

TOFF = 31us

TBLANK = 3、56us

始终自动混合衰减

DTIME = 850ns

TDRIVE = 500ns

IDRIVE = 300/150mA - 我使用 CSD18531Q5A (与 DRV8711EVM 相同)、其 Qgd 比 CSD18543Q3A 高3.5倍。 我认为"IDRIVE=50mA、IDRIVEN=100mA"对于 CSD18543Q3A 来说是最佳的、甚至略高(遗憾的是 DRV8711没有较低的设置)。

如果我遇到这样的问题、我会：

1.尝试在负载转矩增加期间发现电压(LS 和 HS 栅极)、H 桥输出、VM 和 VCP 方面的任何异常。 我将检查哪个 H 桥导致了故障、将 nFault 信号设置为触发器、并检查大约10us 后该桥中的电压。 我还会检查相电流是否存在任何异常。

2.尝试通过以下方式进一步降低 MOSFET 的速度：

-也为 HS 栅极放置串联电阻器

-将其值(HS 或/和 LS)增大得更多(不超过220欧姆)-上述情况可能会损坏 MOSFET 和 DRV8711 (请记住 DTIME = 850ns)

-将 MOSFET 替换为具有更高 Qgd 的 MOSFET。

3.查看 PCB 布局。

您可以在故障发生前的电流电平(相位)(rms /峰值)、VM 电压、电感、电阻、尺寸和速度等电机参数中分辨出故障。  

此致、

Grzegorz

Daisuke、

[引用 userid="421485" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1163472/drv8711-regarding-predriver-fault/4380479 #4380479"]

- 当负载转矩增加时、会出现 PDF 误差。

您能给我建议吗？

[/报价]

电机产生的噪声可能会通过内部电容耦合到 FET 的栅极。 下面的原理图来自 DRV8770栅极驱动器。 在该电路中、在每个 FET 的栅极和源极之间放置一个100kΩ Ω 电阻器、以防止在开关期间 FET 意外导通。 尝试添加此电阻器以及 Grzegorz 的建议。

此致、

Pablo Armet

您好、Pelikan-San

感谢你的建议。

我将向我的客户提出您的建议。

谢谢！

千兆

你好，Pablo-San

感谢你的答复。

我会向您提出建议。

我有关于您提到的电机噪声的问题。

是 BEMF 吗？ 或 L (电缆或布局)引起的振铃噪声？

如果是、 如果电机驱动器具有恒定电流、并且在重负载扭矩下旋转速度恒定、我认为电机噪声没有变化。

我的理解是否正确？

如果您能提供有关您提到的电机噪声的更多详细信息、我们将不胜感激。

此致、

千兆

你好，我是 San

感谢 您的回答

我会在收到客户反馈后立即通知您。  

谢谢、

此致、

千兆

Higa-San、

请告诉我他们是否需要进一步的帮助。

此致、

Pablo A.

你好，Pablo-San

我收到了客户的反馈。

他们确认在10万公里处没有改善，在22万公里处没有改善。 另一方面、达到51k 会使情况更糟。

您对此有什么了解吗？

高侧串联电阻为1Ω Ω、低侧串联电阻为47Ω Ω。

此致、

千兆

Higa-San、

请参阅数据表中的此部分：

8.1.2可选串联栅极电阻
在高电流或高电压应用中、低侧前置驱动器故障可能会由于系统中的噪声而置为有效。 在中
在本 Ω 中、TI 建议将一个47至120k Ω 的电阻器与的低侧输出和栅极串联
低侧 FET。 TI 还建议在添加串联电阻时将死区时间设置为850ns。

他们是否在低侧尝试过更大的串联电阻器？  此外、它们在执行此操作时需要增加死区时间。

此致、

Ryan