[参考译文] DRV8353R：电机驱动器上电后、电机速度会提高、DRV8353会降低。

您好、王、

感谢您的提问。

刻录时、您是否看到了芯片上的物理面包、如果是、在哪里？ 如果您注意到短路、您能告诉我短路发生的引脚是什么？ MOSFET 是否有任何损坏？

在作出任何结论之前，我想进一步了解观察到的情况。

最棒的

Akshay

您好、  Akshay、

非常感谢您的回复。

DRV8353有一个针织表面、下面的 MOSFET 也被刺穿。   如果电源电压高于55V、并且电机在空载条件下的电流增加、则器件将在速度达到特定水平时损坏。因此、我想请您帮助检查硬件和软件是否有任何问题。

您好、王、  

我怀疑具有更高的电压和电流会导致击穿情况、其中 HS 和 LS FET 同时导通。  我建议遵循以下调试指南：

验证：

• 波形：
  • 检查 SHx 和 SLx 是否同时导通。
  • 检查 VDS 波形以确认上升/下降时间。
  • 检查 INHx 和 INLx 以查看是否同时发送输入。
• 损坏：
  • 检查 MOSFET 的漏源极之间是否存在短路。
  • 检查栅极驱动器输出或 MOSFET 上是否有明显的烧毁。

调试：

• 栅极电流：检查所使用的 IDRIVE 设置是否过高。 IDRIVE 决定栅极的开启/关闭速度。 您可以降低 IDRIVE 或添加栅极电阻器、以减小栅极电流并增加上升/下降时间。 我们通常建议使用100-200ns 的上升/下降时间来实现快速开关。

Trise/Fall = QGD / ISource/Sink

• 死区时间：根据换向模式、将插入自动死区时间(一个 MOSFET 关断和另一个导通之间的时间)以防止交叉传导。 但是、我们建议用户增加死区时间、以减少两个 MOSFET 同时开关的可能性。
• MOSFET QGD：如果 MOSFET QGD 太小、则可能会根据上面的公式导致快速上升/下降时间。

最棒的

Akshay

您好、  Akshay、

非常感谢您的回复。

我根据您说过的内容进行了测试、死区时间和波形没有问题。  

当前情况是电流环路控制。 如果 IQ 为正、电机通常会变为正。 如果 Iq 为负、则突然反向传输将产生较大的反电动势。   还是因为反电动势太大、无法击穿 MOSFET 并导致 DRV 损坏？