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器件型号:DRV8243-Q1 大家好、团队、
第34页上的 DRV8243-Q1数据表 规定如下:
我只想确认此功能(自动死区时间)是否能够在 PH/EN 模式下快速衰减(切换到相反 FET 对)?
恐怕4个 FET 会导通、而且巨大的渗透电流可能会损坏 IC。
此致、
基宽原
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大家好、团队、
第34页上的 DRV8243-Q1数据表 规定如下:
我只想确认此功能(自动死区时间)是否能够在 PH/EN 模式下快速衰减(切换到相反 FET 对)?
恐怕4个 FET 会导通、而且巨大的渗透电流可能会损坏 IC。
此致、
基宽原