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器件型号：DRV8302 电源电压为50V。 DRV8302 PVDD1和 PVDD2的电源由铁氧体扼流圈和55V 齐纳二极管提供保护。
我正在运行6个100nC Qg FET、并以30kHz 的频率切换所有 FET。 100E-9 x 6 x 30E3 = 18mA。 当我达到25-35%的占空比并略高于60A 的电机电流时、DRV8302 GVDD 会发生故障、并保持<=1.7V、直到我更换 DRV8302为止。 这是非常可重复的。 在空载情况下、我可以毫无问题地将电机旋转至100%占空比。 不知道电机负载会影响栅极驱动功率的原因。 这里可能有线索。
DRV8302数据表第13页显示"三相栅极驱动器可提供高达30mA 的平均栅极驱动器电流。 当 MOSFET Qg = 25nC"
因此、GVDD <= 1.7V 是其他故障的症状(其他一切似乎正常)、或者稳压器在不应发生故障时发生故障。 在200kHz 下开关频率为25nC 意味着我的100nC 开关应在50kHz 下工作。
我怀疑30mA 数字应指定稳压器中的总功率耗散、即30mA@ 30V PVDD1表示 Ptt GVDD = 0.6W。 我将在 GVDD 稳压器上降低40V、如果我的怀疑是正确的、这会将我的限值设置为15mA。 有人可以验证这一点吗？
