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[参考译文] CSD88539ND:关于 EAR

Guru**** 2380860 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/683281/csd88539nd-about-ear

器件型号:CSD88539ND
主题中讨论的其他器件:CSD

您好!

您能告诉我们 CSD 88539吗?
在以下条件下、雪崩(EAR)值是多少?
※此问题是关于 EAR,而不是 EAS。

VDD = 30V、
VGS = 20V -> 0V、
ID = 10A、
L = 100uH、
RG = 25欧姆

蚀刻≦150°C、测试时间1000小时
ON = 1us、占空比≦1%

谢谢你。

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    Mayumi、

    感谢您发帖。
    TI 不对任何 MOSFET 的重复雪崩额定值进行评级、我们对单个脉冲额定值进行评级和100%测试。
    我不建议将任何制造商的任何 MOSFET 器件作为正常设计过程的一部分置于重复雪崩中。 如果您将器件置于重复雪崩中、您几乎肯定会提高 DPPM 故障率。
    因此、我建议始终进行设计、使电压尖峰低于 MOSFET 的最大额定电压、然后使用 FET 的雪崩额定值来处理不常见故障类型条件下的电压尖峰。
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    尊敬的 Chris:

    感谢你的答复。
    我想立即告诉我的客户。


    请告诉我们更多信息?

    ·您是否计划开发具有更高压力等级的双类型?
    (如果它对应于5V 逻辑驱动器、则更好。)
    ·是否有计划开发具有与5V 逻辑兼容的单通道的更高电压产品?


    我的客户将100Kps/月用于其他60V 耐压产品(其他公司提供雪崩(EAR))。
    我想向客户展示 CSD 88539或引入具有更高击穿电压的 FET。
    如果有新的产品信息、您会教我吗?

    此致、
    Mayumi
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    Mayumi、

    这是您要求提供的机密路线图信息、而不是要在公共论坛上发布的信息。 我将向您发送一份朋友请求、以便我们可以私下继续讨论。