主题中讨论的其他器件： CSD19532Q5B
您好！
我目前正在设计基于 DRV8300 IC 的产品。 我想确保设计在栅极电阻器和 MOSFET 开关时间方面是正确的。 我们的栅极设置与下面显示的设置类似：
因此、通过二极管的单独栅极放电路径和为栅极充电的单个电阻器。
我们的 FET 栅极电荷：
总栅极电荷(10V) 68nC (典型值52nC)
栅极漏极电荷8.2nC
这些规格类似于 DRV8300数据表中提到的 CSD19532Q5B。 令我担忧 的是、与数据表中提到的设置非常相似的 FET 相比、我们的 FET 的打开/关闭时间有很大差异。 因此、我们必须使用更大的栅极电阻器来实现 正确的时间(大约100ns)并缓解过冲。
探头设置：
CH1 -相电压(LS D-S 电压)
通道2 -不适用
CH3 - G-S LS 电压
CH4 -放大器后的电流感应(注意：放大器 BW 太小、无法显示相电流的高速变化、因此 应仅考虑电流方向。 测量是使用焊入式 DIY 探头进行的、因此电压标度不正确)
我们观察到两种类型的振铃是由 MOSFET 打开和关闭时发生的寄生电感引起的、而最大电流在两个方向上流经相位。
HS 和 LS 上栅极电荷路径中的27R 和栅极放电路径中的10R 两个图片：
正电流(40A)：
负电流(-40A)：
可以看到过冲严重、当高侧 FET 打开过快(图1)和低侧关闭过快(图2)时、会发生过冲。
第一种情况很容易解决、因为将栅极电荷电阻器从27R 增大到60R 可以几乎完全固定过冲：
第二种情况更难解决、因为事实证明放电电阻器必须大于充电电阻器(因此二极管必须放置在反向位置)。 这是充电电阻为20R 且放电为47R 时的结果。 在这种情况下、会发生部分交叉传导、因此应使死区时间更大(电流约为235ns)。
我只是想确保这些大电阻值是正确的(与数据表中的参考设计相比)。
此致、
Piotr Vasilewski
