[参考译文] BOOSTXL-DRV8323RH：烧毁的 EVM 栅极驱动器

您好 Alicia。

我不小心将其标记为已解决、但我想继续这个问题。

鉴于我们在 pwmx6模式下使用默认设置且死区时间为100ns、因此评估板中不应存在任何跨导。 此外、电路板中没有 FET 损坏、只有驱动器本身损坏。

过热不应成为问题、因为电路板的最高点(FET)为95°C

关于我的第二个问题：

我们将在 INHx 和 INLx 之间添加死区时间。 这是个问题吗？ 在本例中、TDRIVE 保护会发生什么情况？



非常感谢！

位器、

我想为您看到的问题添加第三种可能性；我在我的多个客户中看到了这种情况。 如果您确实在试验重加速、则减速可能会导致过多的反电动势、从而导致总线电压超出器件的限值。 这可以很容易地解释 MOSFET 能够承受的原因、而电机驱动器却不能承受的原因。 要确定问题、您需要密切监控总线电压-微小的重复瞬变可能会导致故障。 要修复它、存在许多选项。 最简单的方法是增加总线上的大容量电容。 您还可以添加一个电阻器来耗散多余的能量、通过切换所有低侧或高侧 MOSFET 来制动电机、最后在总线电压超过预定电压电平时添加一个比较器来切换功率电阻器。  

你(们)好、Lenio。

我在硬加速和减加速时测量了电池电压、EVM 中的该信号几乎没有噪声。

我使用的电机无法重新制动。

感谢您的评论！

您好、Biter、

关于在  INHx 和 INLx 之间添加死区时间的问题、TDRIVE 组件可提供自动死区时间插入、但可以插入额外的数字死区时间(tDEAD)。 对于连接硬件的器件、此时间固定为100ns、如下所示：

请记住、如果死区时间过长、由于二极管导通损耗、电机驱动器的效率会降低。 有关这方面的更多详细信息、请参阅  以下应用报告《 了解智能栅极驱动器》的2.2.1节 MOSFET 握手。

最棒的

~Alicia

谢谢您 Alicia、

TDRIVE 组件能否与我的外部死区时间配合使用？

谢谢

您好、Alicia。

它只是对该变量进行更多的控制。

谢谢你

您好、Biter、

您是否知道您计划添加多少死区时间？

我将在内部与团队核实增加的死区时间是否会影响 TDRIVE、并将在本周结束前提供响应。  

最棒的

~Alicia

您好、Alicia、

大约100ns 的动态死区时间。

谢谢、我将等待该响应。

此致