在 DRV8830的数据表中、最大电流限制检测电阻列为1欧姆。 这是因为、如果电阻更高且电流更低、电流限制的精度会超出规格吗? 还是因为 PWM 的最短导通时间限制? 或者某些内部反馈是否会变得不稳定? 基本而言、我想知道如果我们愿意降低精度、我们是否可以为电流限制设置一个低值。
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Michael、您好!
低侧 FET 栅极是相对于 GND 驱动的、而其源极连接到 ISEN 节点。 因此、ISEN 节点电压的快速上升小于3us 将限制 LSFFET 的 Vgs 驱动电压(Vgs 减 V_Isen)并使 ISEN 电阻器> 1 Ω 时"浪涌或对 VM 短路"事件电流低于 OCP 阈值。 OCP 可能永远不会发生、并且在这些条件下可能会损坏 FET、因为 Itrip 的反应时间大于3us。