大家好、
在数据表中、VGH_X 最大高电压指的是11V。

我知道 HS FET 上的栅极驱动输出(GH_x)将为 PVDD + GVDD、而 LS FET 上的栅极驱动输出(GL_x)将为 GVDD。 在客户设计中、他们使用12V 电源、栅极驱动输出提供20V 电压、超出数据表中的最大11V。
这是否正常、应该可以使用?
此致、
马尔文
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大家好、
在数据表中、VGH_X 最大高电压指的是11V。

我知道 HS FET 上的栅极驱动输出(GH_x)将为 PVDD + GVDD、而 LS FET 上的栅极驱动输出(GL_x)将为 GVDD。 在客户设计中、他们使用12V 电源、栅极驱动输出提供20V 电压、超出数据表中的最大11V。
这是否正常、应该可以使用?
此致、
马尔文
客户怀疑这可能会损坏 所使用的 MOSFET,因为其最大 VBE 阈值 为20V。 那么、是否有办法可以使所有栅极驱动器输出在高电平状态下均为12V? [/报价]什么是 VBE、因为我在数据表中找不到它?
[QUOTE USERID="510099" url="~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1236332/drv8301-voltage-output 我明白 HS FET 上的栅极驱动输出(GH_x)将为 PVDD + GVDD、而 LS FET 上的栅极驱动输出(GL_x)将为 GVDD。 在客户设计中、他们使用12V 电源、栅极驱动输出提供20V、超过数据表中的最大11V [/报价]如您所知、GVDD 由内部产生并调节至11.5V、因此驱动器不会将 FET 栅极驱动至的拉电流电压超过11.5V、这是为什么会有问题?
测量的20V 是从高侧栅极到 GND 测得的、因此不是栅源电压、为11.5V 或更低。
告诉客户他们测量错误。 教育他们。
布赖恩