[参考译文] DRV8353F：内部电流放大器架构

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https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1240089/drv8353f-internal-current-amplifier-architecture

器件型号：DRV8353F

您好！

我正在使用驱动程序 DRV8353FS。在分流测量信号 SP SN 上、我可以看到由于 MOSFET 二极管的恢复电流而在1V 左右出现尖峰。

驱动器很容易损坏、我认为这可能是驱动器电流测量引脚上的尖峰造成的(最大数据表是5V 瞬态电压、但1V 可能足以消除它)

我添加了一个电阻+电容、如下图所示： SN 上的电阻、因为 SP 也是低侧推挽式栅极驱动器的底部。添加150 R 时、我使用万用表在电阻器上读出13 R。

这就好比 SN 和接地之间存在内部电阻、图中没有显示。从数据表来看、它似乎是一个 R1=10K 的差动放大器、是否为10K、不确定？

您能否确认并提供一些建议以过滤分流测量中的这个尖峰？

此致、

克雷芒

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2478545 points

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您好、Clement、

感谢您的提问！是的、R1的值为10k。至于如何滤除噪声、这通常取决于要滤除的频率、但我们建议每个分流器(在 SNx 和 GND 之间、SPx 和 GND 之间、以及 SPx 和 SNx 之间)使用三个1nF 电容器。还可以在电容器之前以及 SNx 通道连接到分流器上下的位置使用两个10 Ω 电阻器(就像在第一个图中使用电阻器一样)。如果这样不起作用、请尝试更慢地开关 MOSFET、否则布局中的通道之间可能存在过多的寄生电感。请告诉我这是否可以解决您的问题。

此致！

Eli

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2478545 points

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谢谢、仅供参考、数据表符号错误、它是一个 P MOSFET、二极管方向错误、也许是一个 N MOSFET？

我认为是由于分流寄生电感导致低栅极输出出现尖峰、导致了驱动器低侧的烧伤。您有什么建议可以保护驱动器吗？驱动器以分流正极侧为基准、但通过以 GND 为基准的 VGLS 供电、我想在 VGL 上添加一个 TVS 至 GND。

此致、

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2478545 points

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您好、Clement、

感谢您的评分您愿意向我展示您的布局吗？与我的团队合作后、在下周初、我会有更好的回应。

此致！

Eli

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2478545 points

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尊敬的 Eli：

如何在私人邮件中共享它？

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2478545 points

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您好、Clement、

我们将在本周结束前通过电子邮件与您联系。

此致！

Eli

0 admin 2 年多前

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您好、Clement、

感谢您的耐心。您的 FAE 应尽快通过电子邮件与您联系、提供一些文档、这些文档可能会在我们找到解决方案时提供帮助。

此致！

Eli

电机驱动器（参考译文帖）

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[参考译文] DRV8353F：内部电流放大器架构