[参考译文] DRV8705S-Q1EVM：为什么当 nsleep 是高电平时 GHx 会是高电平

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：DRV8705S-Q1EVM
主题中讨论的其他器件： DRV8705-Q1、DRV8714-Q1

大家好、

客户使用 DRV8705S-Q1EVM 评估 DRV8705、他们遇到了问题。除 R65外、这些器件会断开所有0欧姆电阻器、并使用其 MCU 控制 DRV8705。当 nsleep 是低电平时、GHx 是低电平、但当 nsleep 是高电平时、GHx 是高电平。客户甚至没有任何配置。

如数据表所示、nHIZx 为低电平时会存在低电平电压。然后测试 nHIZx、它是低电平。因此、我们不明白为什么当 nsleep 是高电平时、GHx 会是高电平。您能否解释一下、或者我们是否有任何其他需要检查的线索？

0 admin 2 年多前

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您好！

感谢您的提问。这是预期行为。在表7-3中、HIZ 表示数据表上的 HS 和 LS FET 均关断。对于 HS 和 LS FET、GHx 和 GLx 为低电平意味着关闭。

在待机状态(nSLEEP=高电平)期间、由于弱上拉路径、SHx 显示~PVDD 电压电平。但是、HS 和 LS FET 肯定都已关断。 GHx 将为~PVDD、然后 HS FET 关断。

这种行为是对 DRV8705-Q1的所有单元执行的。

请参阅另一篇 E2E 博文以了解 DRV8714-Q1、它是 DRV8750/06-Q1系列器件。

此致

森田真也

电机驱动器（参考译文帖）(Read Only)