尊敬的专家:
客户希望为漏极、SHx 引脚添加1K~10K Ω 串联电阻器、以限制电池反向情况下的电流。
这两个电阻器是否会影响 VDS 测量?
我的理解是流入 DRAIN 和 SHx 引脚的电流非常小。 这应该是可以接受的,对吧?
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尊敬的专家:
客户希望为漏极、SHx 引脚添加1K~10K Ω 串联电阻器、以限制电池反向情况下的电流。
这两个电阻器是否会影响 VDS 测量?
我的理解是流入 DRAIN 和 SHx 引脚的电流非常小。 这应该是可以接受的,对吧?
Ryan、
您可以参阅随附的 PPT。 对于电池反向情况、它们为 DRV8718 GND 和 H 桥的低侧放置了 NMOS。 但他们发现仍有电流流经 GND->MCU IO -> DRV8718->Vbat。 为了消除该问题、 他们计划 为 DRV8718漏极引脚添加 PMOS、并 为 SHx 引脚添加一个用于电流限制的1K~10K 电阻器。 (SHx 引脚太多。 PMOS 对于它们来说太贵了。)
需要您评论他们的解决方案存在哪些风险。
谢谢