This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] DRV8434S:DRV8434SRGER 的热关断

Guru**** 2468610 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8434SEVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1274153/drv8434s-thermal-shutdown-of-drv8434srger

器件型号:DRV8434S

您好!
在以下条件下、我们正在使用 DRV8434SRGER、但它会进入热关断(OTSD)状态。
对于我们开发的电路板和 DRV8434SEVM 电路板、症状是相同的。
您能告诉我们这个问题的可能原因吗?

VM 电压:24V
Vref 电压:2.26V (@Vcc=3.3V)
设定转矩:100%
环境温度 Ta:25°C
电机电感:6mH
电机电阻:1.7Ω

此致、
高野直树

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Naoki-San、

    如果可能、请提供以下问题的答案、以便更好地了解该问题:

    1.什么是步进模式(全步进、半步进等)?

    2.您的 PWM 开关频率是多少?

    3.在发生热关断之前电机要运行多长时间?

    此致!

    大卫

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 David-san:

    感谢您的答复。
    我将在下面回答。
    1.-> 1/16步进
    2.-> 3200pps
    3.->几分钟

    我会更正我提供的一些信息。
    在 DRV8434SEVM 电路板上、热关断发生在 Vref = 3.29V 时。
    在我们开发的电路板上、热关断发生在 Vref = 2.26V 时。
    我们目前正在研究此问题的原因、可能是由于参数设置差异或电路板的散热特性导致的。

    以下是对 DRV8434SEVM 电路板上的两个电机进行评估的结果。
    电机 A (6mH、1.7Ω)、Vref = 3.29V (OTSD)时、芯片表面温度超过120℃、电源电流为0.66A
    2.电机 A (6mH、1.7Ω)、Vref = 2.26V 时、芯片表面温度75.5℃、电源电流0.35A
    3.电机 B (11.3mH、3.5Ω)在 Vref = 3.29V (OTSD)时、芯片表面温度超过120℃、电源电流为1.4A
    4.电机 B (11.3mH、3.5Ω)、Vref = 2.26V、芯片表面温度74.5℃、电源电流0.65A

    此致、
    高野直树

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Naoki-San、

    当在100%转矩下设置 Vref = 3.29V 时、满量程电流大约为2.5A。 2.5A 规格是驱动器的最大能力、如果在该设置下运行、将达到热性能。 IRMS 电流是建议的1.8A 满量程电流设置、这接近您设置 Vref = 2.26V 时看到的设置。

    满量程电流取决于以下特性:

    针对此问题的建议是在较低的 TRQ_DAC%下运行满量程电流或降低 Vref。  

    通过有助于温度调节的外部散热器也有助于散热。  

    另一项建议是查看热性能在更高的步进速率下如何变化。

    此致!

    大卫

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 David-san:

    感谢您的答复。
    我们的板采用2层板制成、
    DRV8434SEVM 电路板是一款4层电路板、内层几乎为实心 GND。
    我们发现散热特性差异很大。

    这次、我们将 Vref 设置为3.3V 以进行评估、但我们计划根据实际规格降低 Vref。

    我们将考虑更改电路板上的层数和 IC 封装。

    非常感谢您的答复。

    此致、
    直树市