大家好、
VCP 和 GHV 之间的电压已上升至约0.6V (大约100ns)。 似乎正在将来自其他相位的噪声施加到 VCP 引脚。
VCP 和 GHB 之间的最大额定值是否也适用于与所附波形类似的振铃?
我认为电流可能流经内部 FET 寄生二极管、但如果超过 FET 额定值、我认为不会超过 FET 额定值。
我还认为、考虑到电压较低且 所需的时间短于 ESD)数据表中描述的 ESD(、没有问题。
如果我需要改进、我应该怎么做? IDRIVE 设置为50mA / 100mA。 在 VCP 和 VDRAIN 端子之间添加一个具有良好频率特性的陶瓷电容器无效。 我将在 VCP 端子和 VDRAIN 端子之间使用一个50V、1μF 陶瓷电容器、但如果我将其更改为16V、1μF、它是否会改善?
