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器件型号：DRV8323R 您好、TI 专家。
我正在查看过流保护的文档、可以看到有两种保护。 一个用于检测 FET 中的过流、另一个用于检测分流器中的过流。
VDS_OCP 会说：
"所有外部 MOSFET 都被禁用、nFAULT 引脚被驱动为低电平。
当以这种方式禁用外部 MOSFET 时、驱动器会自动对栅极使用较低的设置
驱动电流、而不是编程的 IDRIVE 设置。 利用该设置、可能存在的任何大电流
应缓慢关闭、以尽量减少由系统中的寄生电容引起的任何电感反冲"
而 SEN_OCP 显示：
"所有外部 MOSFET 均被禁用、nFAULT 引脚被驱动为低电平"
那么、我的问题是、如果 SEN_OCP 此外、 降低 IDRIVE 设置值、以帮助缓慢关闭系统中的 FET。
您为什么会使用其中一种或另一种方法？
非常感谢！
