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器件型号：DRV8705-Q1 您好、TI 专家
这是我们首次将 DRV8705S-Q1 + 4个 N-MOSFET 用作 H 桥。 N-MOSFET 为 TSC 的 TQM056NH04LCR。 我想向您仔细检查一些 SPI 寄存器。
我发现 LS MOSFET 的栅极侧由 VGVDD 驱动。 但我从数据表中找不到 VGVDD 的任何日期。 我想：VGDD 的电压范围、例如低于1 μ V
这些！
