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器件型号:DRV8434S 产品营销工程师、
DRV8434S 的 EVM 在每个输出 AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2上都有3.3nF 电容器。 它们列为 DNP。 您能解释一下您何时建议安装它们以及它们为什么是 DNP 吗?
我们的客户正在考虑在其中添加100nF 电容器、并且希望了解有关 EVM 电路板设计的决策。
谢谢。
达伦
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Darren、您好!
3.3nF 电容器有助于降低 ESD。 这种小型电容器通常用于步进驱动器输出端子中。 我们在 EVM 中设置了这些可选(DNP)、以便用户在输出端不增加容性负载的情况下评估驱动器。 由于斩波频率的容性传导以及驱动器中的额外热量、容性负载将导致开关损耗增加。 我们不建议使用100nF 电容器、因为这些电容器会显著增加开关损耗和驱动器过热、并可能导致 TSD 情况、尤其是在更高的 VM 电源电压下。 根据驱动要求、由客户工程师在最大功耗和负载电容值之间进行权衡。
考虑100nF 的动机是什么? 我已经看到一些客户使用高达10nF 的电容来降低 EMI、但这是以提高器件的工作温度为代价的。 这些电容器的常用值是3.3nF 或更低。
此致、Murugavel