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[参考译文] DRV8434S:AOUT 和 BOUT 上的电容

Guru**** 2464790 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8434S

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1298097/drv8434s-caps-on-aout-and-bout

器件型号:DRV8434S

产品营销工程师、

DRV8434S 的 EVM 在每个输出 AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2上都有3.3nF 电容器。  它们列为 DNP。  您能解释一下您何时建议安装它们以及它们为什么是 DNP 吗?

我们的客户正在考虑在其中添加100nF 电容器、并且希望了解有关 EVM 电路板设计的决策。

谢谢。
达伦

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Darren、您好!

    3.3nF 电容器有助于降低 ESD。 这种小型电容器通常用于步进驱动器输出端子中。 我们在 EVM 中设置了这些可选(DNP)、以便用户在输出端不增加容性负载的情况下评估驱动器。 由于斩波频率的容性传导以及驱动器中的额外热量、容性负载将导致开关损耗增加。 我们不建议使用100nF 电容器、因为这些电容器会显著增加开关损耗和驱动器过热、并可能导致 TSD 情况、尤其是在更高的 VM 电源电压下。 根据驱动要求、由客户工程师在最大功耗和负载电容值之间进行权衡。  

    考虑100nF 的动机是什么? 我已经看到一些客户使用高达10nF 的电容来降低 EMI、但这是以提高器件的工作温度为代价的。 这些电容器的常用值是3.3nF 或更低。

    此致、Murugavel