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器件型号:DRV8426 大家好、支持团队。
在下图中、我的理解是否正确?
如果是、则死区时间期间测得的体二极管 VF 值为1.06V、这是令人无法理解的超过1V 的原因。
此外、由于这超过了绝对最大额定值、这是否被视为一个问题?
测量点靠近器件的输出端子 AOUT1、因此我认为它不会依赖于布局。
主要参数如下。
Rs = 25 Ω
Ls = 42mH
此致、
千兆

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大家好、支持团队。
在下图中、我的理解是否正确?
如果是、则死区时间期间测得的体二极管 VF 值为1.06V、这是令人无法理解的超过1V 的原因。
此外、由于这超过了绝对最大额定值、这是否被视为一个问题?
测量点靠近器件的输出端子 AOUT1、因此我认为它不会依赖于布局。
主要参数如下。
Rs = 25 Ω
Ls = 42mH
此致、
千兆

您好!
"如果是、则死区时间期间测得的体二极管 VF 值为1.06V、超过1V 是令人无法理解的原因。" 您的理解是正确的。 42mH 是一种非常高的电感、步进电感的典型电感低于10mH、许多电感低于5mH。 在这种情况下、由于电感产生的反冲电压较高、FET 的体二极管不够快。 如果您希望缓解这种情况、请 在 FET 上使用四个额外的快速肖特基二极管、以帮助符合器件的绝对最大规格。
此致、Murugavel