谢谢
-我不 在高侧 MOS 中添加更多的电容或电阻,原理图是一样的
-检查 pic 如下:你可以看到
1:Vgs 从零上升到米勒平坦的时间 几乎相同 ,所以我们可以得到帕拉尼电容几乎相同——
2：区别在于米勒区域所用的时间、 高侧米勒平台的波形有一点震荡-
请再次检查，谢谢
您好
我没有添加任何内容
PLZ 检查以下 sch
您好！
查看原理图后、VDRAIN 与 VCP 的连接似乎不是最佳的。 使用 EVM 原理图是验证您自己原理图中的一些内容的一种很好的方法。
VDRAIN 直接连接到 VCP 而不连接到 VM (看起来可能像这样、但它不与 VM 共享一个节点)、解决此问题后、查看问题是否仍然存在。
此致、
亚拉
，‘s 我没有找到与 EVM 不同的内容，在 EVM 中，VDRAIN 也连接到 VM
VM 还可以通过2种方式供电,一种是电机供电,另一种是低电压供电,在我的 sch, VM 是电机供电
请帮助我重新检查
您好！
我和我的团队讨论了您的问题、但我们对原理图的这一部分有一点担心：
您是同时为 VM 提供12V 和48V 电压、还是电阻器 R194未组装？
我们还得出结论：IDRIVE 设置可能过低、可能无法足够快地达到所需的电流、从而正确打开 MOSFET。 您是否厌倦了提高 IDRIVE 设置？ 结果如何？
请尝试增加 IDRIVE 并尝试各种 IDRIVE 设置、如果这对您的问题没有帮助、请提供以下信息：
电荷泵波形
VGLS 波形
和低侧栅极电流波形、
此致、
亚拉
